ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มที่คุ้มค่าแบบดั้งเดิม 100% - การออกแบบตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม snubber กระแสสูงสุดสูงสำหรับการใช้งานด้านอิเล็กทรอนิกส์กำลัง IGBT - CRE

คำอธิบายสั้น:

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ผลตอบรับ (2)

ขณะนี้เรามีพนักงานที่ยอดเยี่ยมมากมายที่เป็นลูกค้าซึ่งเชี่ยวชาญด้านการโฆษณา QC และทำงานกับปัญหายุ่งยากต่างๆ ภายในระบบการสร้างตัวเก็บประจุปล่อยพัลส์ , ตัวเก็บประจุ Fim สูญเสียความจุต่ำ , ตัวเก็บประจุแบบเหนี่ยวนำสำหรับตัวเก็บประจุแบบหลอมละลาย,ยินดีต้อนรับเพื่อนและร้านค้าในต่างประเทศทุกท่านเพื่อสร้างความร่วมมือกับเราเราจะให้บริการคุณด้วยความซื่อสัตย์ คุณภาพสูง และมีประสิทธิภาพเพื่อตอบสนองความต้องการของคุณ

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มที่คุ้มค่าแบบดั้งเดิม 100% - การออกแบบตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม snubber กระแสสูงสุดสูงสำหรับการใช้งานด้านอิเล็กทรอนิกส์กำลัง IGBT - รายละเอียด CRE:

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน	Max.อุณหภูมิในการทำงาน.,ด้านบน,สูงสุด: +105℃ อุณหภูมิหมวดหมู่บน: +85 ℃ อุณหภูมิหมวดหมู่ต่ำกว่า: -40 ℃
ช่วงความจุ	0.1μF~5.6μF
แรงดันไฟฟ้าที่ได้รับการจัดอันดับ	700V.DC~3000V.DC
แคป.ตอล	±5%(เจ);±10%(เค)
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า	1.5Un DC/10S
ปัจจัยการกระจาย	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ความต้านทานของฉนวน	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20°C 100V.DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ทนต่อกระแสไฟกระชาก	ดูเอกสารข้อมูล
การหน่วงไฟ	UL94V-0
อายุขัย	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
มาตรฐานอ้างอิง	IEC61071;GB/T17702;

ตารางข้อมูลจำเพาะ

แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ขนาด (มม.)
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms ที่ 40 ℃ @ 100 KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1,000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1,050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1,050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
แรงดันไฟฟ้า	ไม่เกิน 1,000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ขนาด (มม.)
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1,000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1,050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1,000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่เกิน 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1,020	28

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

ทั้งหมดที่เราทำนั้นเกี่ยวข้องกับหลักการของเราเสมอ " ลูกค้าต้องมาก่อน ไว้วางใจก่อน อุทิศให้กับบรรจุภัณฑ์อาหารและการปกป้องสิ่งแวดล้อมสำหรับตัวเก็บประจุแบบฟิล์มดั้งเดิมที่คุ้มค่า 100% - การออกแบบตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม snubber กระแสสูงสุดสูงสุดสำหรับแอปพลิเคชันอิเล็กทรอนิกส์กำลัง IGBT - CRE ผลิตภัณฑ์ จะจัดหาไปทั่วโลกเช่น: บริสเบน, ปอร์โต, ตุรกี, การจัดหาผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพ, บริการที่เป็นเลิศ, ราคาที่แข่งขันได้และการจัดส่งที่รวดเร็ว ผลิตภัณฑ์ของเราขายดีทั้งในตลาดในประเทศและต่างประเทศ บริษัท ของเราพยายามที่จะเป็นหนึ่งที่สำคัญ ซัพพลายเออร์ในประเทศจีน

ตัวเก็บประจุ Ac สำหรับการปรับปรุงคุณภาพไฟฟ้าและความน่าเชื่อถือ

ตัวเก็บประจุ Ac ในระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลัง

ตัวเก็บประจุ Dc-Link สำหรับวงจรแรงดันกลาง Dc ของหน่วยพลังงานลม

ตัวเก็บประจุ Dc-Link ในตัวแปลงพลังงาน

การออกแบบตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มใช้สำหรับตัวแปลงที่เก็บพลังงาน

ตัวเก็บประจุฟิล์มคุณภาพสูง

ตัวเก็บประจุไฟฟ้าแรงสูงอิเล็กทรอนิกส์

ตัวเก็บประจุความร้อนเหนี่ยวนำการสูญเสียพลังงานต่ำ

ตัวเก็บประจุแบบเรโซแนนซ์สำหรับการชาร์จแบบไร้สาย

ในฐานะบริษัทการค้าระหว่างประเทศ เรามีพันธมิตรมากมาย แต่เกี่ยวกับบริษัทของคุณ ฉันแค่อยากจะบอกว่า คุณเป็นคนดีจริงๆ มีความหลากหลาย คุณภาพดี ราคาสมเหตุสมผล บริการที่อบอุ่นและเอาใจใส่ เทคโนโลยีและอุปกรณ์ขั้นสูง และผู้ปฏิบัติงานได้รับการฝึกอบรมอย่างมืออาชีพ ข้อเสนอแนะและการอัปเดตผลิตภัณฑ์ตรงเวลา กล่าวโดยสรุป นี่เป็นความร่วมมือที่น่าพึงพอใจมาก และเราหวังว่าจะได้ความร่วมมือครั้งต่อไป!