IGBT/GTO ตัวเก็บประจุ Snubber
-
ตัวเก็บประจุ Snubber 1200VDC 2UF IGBT ตัวเก็บประจุ Snubber สำหรับการสลับแหล่งจ่ายไฟ
ผู้ปฏิเสธ IGBT SMJ-P
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CRE snubber ได้รับการออกแบบมาเพื่อการทำงานด้วยกระแสไฟสูงสุดในระดับสูง ซึ่งจำเป็นสำหรับการป้องกันแรงดันไฟฟ้าชั่วคราว
1. ความสามารถในการทนต่อ dv / dt สูง
2. ติดตั้งง่ายสำหรับ IGBT
-
ใหม่ 0.95UF 2000V DC Metalized Polypropylene Snubber ตัวเก็บประจุฟิล์มสำหรับ IGBT Snubber Capacitor
ผู้ปฏิเสธ IGBT SMJ-P
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CRE snubber ได้รับการออกแบบมาเพื่อการทำงานด้วยกระแสไฟสูงสุดในระดับสูง ซึ่งจำเป็นสำหรับการป้องกันแรงดันไฟฟ้าชั่วคราว
1. ความสามารถในการทนต่อ dv / dt สูง
2. ติดตั้งง่ายสำหรับ IGBT
-
ตัวเก็บประจุกรอง Snubber ชนิดน้ำมันในอุปกรณ์จ่ายไฟหัวรถจักร
รุ่น: ซีรีส์ SMJ-MC
CRE มีตัวเก็บประจุทุกชนิด
1. นวัตกรรมตัวเก็บประจุการดูดซึมแบบหมาด ๆ ได้รับการออกแบบและผลิตโดย CRE
2. CRE เป็นผู้นำในการออกแบบและผลิตตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม
3. หากคุณต้องการข้อกำหนดเฉพาะของตัวเก็บประจุการดูดซึมแบบหมาดๆ ตรงไปที่ศูนย์การออกแบบของเราสำหรับตัวเก็บประจุแบบปรับแต่งเอง
การใช้งาน:
ส่วนใหญ่จะใช้เพื่อจำกัดอัตราแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นในวงจรที่มีอยู่มากเกินไปเพื่อป้องกันการสลับและการป้องกันเซมิคอนดักเตอร์ที่มีกำลังไฟอิเล็กทรอนิกส์;การกรองและการเก็บพลังงานพื้นที่การใช้งานหลัก ได้แก่ วงจรเรียงกระแส, SVC, อุปกรณ์จ่ายไฟของหัวรถจักร ฯลฯ -
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มเมทัลไลซ์สำหรับวงจรเรโซแนนซ์
ตัวเก็บประจุแบบ Snubber แบบแกน SMJ-TE
ตัวเก็บประจุ Snubber เป็นตัวเก็บประจุกระแสสูงและมีความถี่สูงพร้อมขั้วต่อตามแนวแกนตัวเก็บประจุแบบฟิล์มตามแนวแกนมีจำหน่ายที่ CREเรานำเสนอสินค้าคงคลัง ราคา และเอกสารข้อมูลสำหรับตัวเก็บประจุแบบฟิล์มตามแนวแกน
1. ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO9001 และ UL
2. สินค้าคงคลังที่กว้างขวาง;
-
ตัวเก็บประจุกรอง Snubber ชนิดน้ำมันในอุปกรณ์จ่ายไฟหัวรถจักร
รุ่น: ซีรีส์ SMJ-MC
CRE มีตัวเก็บประจุทุกชนิด
1. นวัตกรรมตัวเก็บประจุการดูดซึมแบบหมาด ๆ ได้รับการออกแบบและผลิตโดย CRE
2. CRE เป็นผู้นำในการออกแบบและผลิตตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม
3. หากคุณต้องการข้อกำหนดเฉพาะของตัวเก็บประจุการดูดซึมแบบหมาดๆ ตรงไปที่ศูนย์การออกแบบของเราสำหรับตัวเก็บประจุแบบปรับแต่งเอง
การใช้งาน:
ส่วนใหญ่จะใช้เพื่อจำกัดอัตราแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นในวงจรที่มีอยู่มากเกินไปเพื่อป้องกันการสลับและการป้องกันเซมิคอนดักเตอร์ที่มีกำลังไฟอิเล็กทรอนิกส์;การกรองและการเก็บพลังงานพื้นที่การใช้งานหลัก ได้แก่ วงจรเรียงกระแส, SVC, อุปกรณ์จ่ายไฟของหัวรถจักร ฯลฯ -
ตัวเก็บประจุ Snubber แบบกำหนดเองราคาดีที่สุดสำหรับ IGBT
ตัวเก็บประจุแบบ Snubber แบบแกน SMJ-TE
ตัวเก็บประจุ Snubber เป็นตัวเก็บประจุกระแสสูงและมีความถี่สูงพร้อมขั้วต่อตามแนวแกนตัวเก็บประจุแบบฟิล์มตามแนวแกนมีจำหน่ายที่ CREเรานำเสนอสินค้าคงคลัง ราคา และเอกสารข้อมูลสำหรับตัวเก็บประจุแบบฟิล์มตามแนวแกน
1. ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO9001 และ UL
2. สินค้าคงคลังที่กว้างขวาง;
-
Mylar Type IGBT Snubber Capacitor พร้อม Axial Leads สำหรับเครื่องเชื่อม
ตัวเก็บประจุแบบ: SMJ-TC
คุณสมบัติ:
1. อิเล็กโทรดถั่วทองแดง
2. ขนาดทางกายภาพขนาดเล็กและติดตั้งง่าย
3. เทคโนโลยีการม้วนเทป Mylar
4. เติมเรซินแห้ง
5. ตัวเหนี่ยวนำซีรีย์เทียบเท่าต่ำ (ESL) และความต้านทานซีรีย์เทียบเท่า (ESR)
การใช้งาน:
1. GTO ดูแคลน
2. การดูดซับและการป้องกันแรงดันไฟฟ้าสูงสุดและกระแสสูงสุดสำหรับการสลับส่วนประกอบในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
วงจร Snubber เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับไดโอดที่ใช้ในวงจรสวิตชิ่งสามารถบันทึกไดโอดจากแรงดันไฟเกิน ซึ่งอาจเกิดขึ้นในระหว่างกระบวนการกู้คืนแบบย้อนกลับ
-
Gto Snubber Film Capacitor สำหรับเครื่องเชื่อม
ตัวเก็บประจุแบบ: SMJ-TC
คุณสมบัติ:
1. อิเล็กโทรดถั่วทองแดง
2. ขนาดทางกายภาพขนาดเล็กและติดตั้งง่าย
3. เทคโนโลยีการม้วนเทป Mylar
4. เติมเรซินแห้ง
5. ตัวเหนี่ยวนำซีรีย์เทียบเท่าต่ำ (ESL) และความต้านทานซีรีย์เทียบเท่า (ESR)
การใช้งาน:
1. GTO ดูแคลน
2. การดูดซับและการป้องกันแรงดันไฟฟ้าสูงสุดและกระแสสูงสุดสำหรับการสลับส่วนประกอบในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
วงจร Snubber เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับไดโอดที่ใช้ในวงจรสวิตชิ่งสามารถบันทึกไดโอดจากแรงดันไฟเกิน ซึ่งอาจเกิดขึ้นในระหว่างกระบวนการกู้คืนแบบย้อนกลับ
-
ตัวเก็บประจุ Snubber IGBT Volatge สูงที่เสถียร
ตัวเก็บประจุแบบ: SMJ-TC
คุณสมบัติ:
1. อิเล็กโทรดถั่วทองแดง
2. ขนาดทางกายภาพขนาดเล็กและติดตั้งง่าย
3. เทคโนโลยีการม้วนเทป Mylar
4. เติมเรซินแห้ง
5. ตัวเหนี่ยวนำซีรีย์เทียบเท่าต่ำ (ESL) และความต้านทานซีรีย์เทียบเท่า (ESR)
การใช้งาน:
1. GTO ดูแคลน
2. การดูดซับและการป้องกันแรงดันไฟฟ้าสูงสุดและกระแสสูงสุดสำหรับการสลับส่วนประกอบในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
วงจร Snubber เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับไดโอดที่ใช้ในวงจรสวิตชิ่งสามารถบันทึกไดโอดจากแรงดันไฟเกิน ซึ่งอาจเกิดขึ้นในระหว่างกระบวนการกู้คืนแบบย้อนกลับ
-
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มตะกั่วตามแนวแกนสำหรับวงจรเรโซแนนซ์
ตัวเก็บประจุแบบ Snubber แบบแกน SMJ-TE
ตัวเก็บประจุ Snubber เป็นตัวเก็บประจุกระแสสูงและมีความถี่สูงพร้อมขั้วต่อตามแนวแกนตัวเก็บประจุแบบฟิล์มตามแนวแกนมีจำหน่ายที่ CREเรานำเสนอสินค้าคงคลัง ราคา และเอกสารข้อมูลสำหรับตัวเก็บประจุแบบฟิล์มตามแนวแกน
1. ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO9001 และ UL
2. สินค้าคงคลังที่กว้างขวาง;
-
ตัวเก็บประจุ Snubber การดูดซับการทำให้หมาด ๆ สำหรับ SVC
รุ่น: ซีรีส์ SMJ-MC
CRE มีตัวเก็บประจุทุกชนิด
1. นวัตกรรมตัวเก็บประจุการดูดซึมแบบหมาด ๆ ได้รับการออกแบบและผลิตโดย CRE
2. CRE เป็นผู้นำในการออกแบบและผลิตตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม
3. หากคุณต้องการข้อกำหนดเฉพาะของตัวเก็บประจุการดูดซึมแบบหมาดๆ ตรงไปที่ศูนย์การออกแบบของเราสำหรับตัวเก็บประจุแบบปรับแต่งเอง
การใช้งาน:
ส่วนใหญ่จะใช้เพื่อจำกัดอัตราแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นในวงจรที่มีอยู่มากเกินไปเพื่อป้องกันการสลับและการป้องกันเซมิคอนดักเตอร์ที่มีกำลังไฟอิเล็กทรอนิกส์;การกรองและการเก็บพลังงานพื้นที่การใช้งานหลัก ได้แก่ วงจรเรียงกระแส, SVC, อุปกรณ์จ่ายไฟของหัวรถจักร ฯลฯ -
Snubber Protection Capacitor 0.47UF 2000V DC Mkph-Sb ใช้สำหรับ UPS Converter และเครื่องเชื่อม
ผู้ปฏิเสธ IGBT SMJ-P
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CRE snubber ได้รับการออกแบบมาเพื่อการทำงานด้วยกระแสไฟสูงสุดในระดับสูง ซึ่งจำเป็นสำหรับการป้องกันแรงดันไฟฟ้าชั่วคราว
1. ความสามารถในการทนต่อ dv / dt สูง
2. ติดตั้งง่ายสำหรับ IGBT
-
ตัวเก็บประจุ Snubber GTO ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง
วงจร Snubber เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับไดโอดที่ใช้ในวงจรสวิตชิ่งสามารถบันทึกไดโอดจากแรงดันไฟเกิน ซึ่งอาจเกิดขึ้นในระหว่างกระบวนการกู้คืนแบบย้อนกลับ
-
การออกแบบตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม snubber กระแสไฟสูงสุดสำหรับการใช้งานระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลัง IGBT
ผู้ปฏิเสธ IGBT SMJ-P
1. กล่องพลาสติก ปิดผนึกด้วยเรซิน
2. เม็ดมีดทองแดงชุบดีบุกติดตั้งง่ายสำหรับ IGBT;
3. ความต้านทานต่อไฟฟ้าแรงสูง tgδต่ำ อุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นต่ำ
4. ESL และ ESR ต่ำ
5. กระแสพัลส์สูง
-
snubber คุณภาพสูงพร้อมความสามารถในการโหลดพัลส์สูง
ผู้ปฏิเสธ IGBT SMJ-P
ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CRE snubber ได้รับการออกแบบมาเพื่อการทำงานด้วยกระแสไฟสูงสุดในระดับสูง ซึ่งจำเป็นสำหรับการป้องกันแรงดันไฟฟ้าชั่วคราว
1. ความสามารถในการทนต่อ dv / dt สูง
2. ติดตั้งง่ายสำหรับ IGBT
