IGBT/GTO ตัวเก็บประจุ Snubber
-
การออกแบบตัวเก็บประจุ IGBT Snubber ระดับสูงสำหรับการใช้งานที่มีกำลังสูง
ผู้ปฏิเสธ IGBT SMJ-P
1. กล่องพลาสติก ปิดผนึกด้วยเรซิน
2. เม็ดมีดทองแดงชุบดีบุกติดตั้งง่ายสำหรับ IGBT;
3. ความต้านทานต่อไฟฟ้าแรงสูง tgδต่ำ อุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นต่ำ
4. ESL และ ESR ต่ำ
5. กระแสพัลส์สูง;
6. ได้รับการรับรองจาก UL
-
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีน Snubber ใช้ในการใช้งานไฟฟ้าแรงสูง กระแสสูง และพัลส์สูง
ตัวเก็บประจุแบบ Snubber แบบแกน SMJ-TE
ตัวเก็บประจุ Snubber เป็นตัวเก็บประจุกระแสสูงและมีความถี่สูงพร้อมขั้วต่อตามแนวแกนตัวเก็บประจุแบบฟิล์มตามแนวแกนมีจำหน่ายที่ CREเรานำเสนอสินค้าคงคลัง ราคา และเอกสารข้อมูลสำหรับตัวเก็บประจุแบบฟิล์มตามแนวแกน
1. ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO9001 และ UL
2. สินค้าคงคลังที่กว้างขวาง;
-
ขายส่งตัวเก็บประจุ Snubber ไฟฟ้าแรงสูง
CRE มีตัวเก็บประจุ snubber ทุกชนิด
1. นวัตกรรมตัวเก็บประจุ snubber ที่ออกแบบและผลิตโดย CRE
2. ผู้นำด้านการออกแบบและผลิตตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม
3. หากคุณต้องการข้อกำหนดเฉพาะของ snubber ที่ไม่ซ้ำใคร ตรงไปที่ศูนย์การออกแบบของเราเพื่อรับตัวเก็บประจุ snubber ที่ออกแบบเอง
-
ตัวเก็บประจุ IGBT Snubber แบบฟิล์มเมทัลไลซ์
1. กล่องพลาสติก ปิดผนึกด้วยเรซิน
2. เม็ดมีดทองแดงชุบดีบุกติดตั้งง่ายสำหรับ IGBT;
3. ความต้านทานต่อไฟฟ้าแรงสูง tgδต่ำ อุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นต่ำ
4. ESL และ ESR ต่ำ
5. กระแสพัลส์สูง
-
Snubber ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มกระแสสูงสำหรับเครื่องเชื่อม (SMJ-TC)
ตัวเก็บประจุแบบ: SMJ-TC
คุณสมบัติ:
1. อิเล็กโทรดถั่วทองแดง
2. ขนาดทางกายภาพขนาดเล็กและติดตั้งง่าย
3. เทคโนโลยีการม้วนเทป Mylar
4. เติมเรซินแห้ง
5. ตัวเหนี่ยวนำซีรีย์เทียบเท่าต่ำ (ESL) และความต้านทานซีรีย์เทียบเท่า (ESR)
การใช้งาน:
1. GTO ดูแคลน
2. การดูดซับและการป้องกันแรงดันไฟฟ้าสูงสุดและกระแสสูงสุดสำหรับการสลับส่วนประกอบในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
วงจร Snubber เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับไดโอดที่ใช้ในวงจรสวิตชิ่งสามารถบันทึกไดโอดจากแรงดันไฟเกิน ซึ่งอาจเกิดขึ้นในระหว่างกระบวนการกู้คืนแบบย้อนกลับ
-
ตัวเก็บประจุ snubber Axial GTO
ตัวเก็บประจุเหล่านี้มีความเหมาะสมที่จะทนต่อพัลส์กระแสหนักที่มักพบในการป้องกัน GTOการเชื่อมต่อตามแนวแกนช่วยลดการเหนี่ยวนำอนุกรมและให้การติดตั้งเชิงกลที่แข็งแกร่ง หน้าสัมผัสทางไฟฟ้าที่เชื่อถือได้ และการกระจายความร้อนที่ดีของความร้อนที่เกิดขึ้นระหว่างการบริการ
-
อิเล็กทริกการสูญเสียต่ำของตัวเก็บประจุ Snubber ฟิล์มโพลีโพรพีลีนสำหรับการใช้งาน IGBT
กลุ่มผลิตภัณฑ์ CRE ของตัวเก็บประจุ IGBT snubber เป็นไปตามมาตรฐาน ROHS และ REACH
1. รับประกันคุณสมบัติการหน่วงไฟด้วยการใช้ตู้พลาสติกและสารเติมอีพ็อกซี่ซึ่งเป็นไปตามมาตรฐาน UL94-VO
2. สามารถปรับแต่งรูปแบบเทอร์มินัลและขนาดเคสได้
-
ตัวเก็บประจุ Snubber ตามแนวแกนตามมาตรฐาน ROHS และ REACH SMJ-TE
ตัวเก็บประจุ Snubber
กลุ่มผลิตภัณฑ์ CRE ของตัวเก็บประจุ IGBT snubber เป็นไปตามมาตรฐาน ROHS และ REACH1. ลักษณะสารหน่วงไฟ
2. ตู้พลาสติกหรือตู้เทป Mylar
3. เติมปลายอีพ็อกซี่
4. สอดคล้องกับ UL94
5. ออกแบบเองได้
-
ตัวเก็บประจุการดูดซึมแบบหมาด ๆ
รุ่น: ซีรีส์ SMJ-MC
CRE มีตัวเก็บประจุทุกชนิด
1. นวัตกรรมตัวเก็บประจุการดูดซึมแบบหมาด ๆ ได้รับการออกแบบและผลิตโดย CRE
2. CRE เป็นผู้นำในการออกแบบและผลิตตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม
3. หากคุณต้องการข้อกำหนดเฉพาะของตัวเก็บประจุการดูดซึมแบบหมาดๆ ตรงไปที่ศูนย์การออกแบบของเราสำหรับตัวเก็บประจุแบบปรับแต่งเอง
การใช้งาน:
ส่วนใหญ่จะใช้เพื่อจำกัดอัตราแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นในวงจรที่มีอยู่มากเกินไปเพื่อป้องกันการสลับและการป้องกันเซมิคอนดักเตอร์ที่มีกำลังไฟอิเล็กทรอนิกส์;การกรองและการเก็บพลังงานพื้นที่การใช้งานหลัก ได้แก่ วงจรเรียงกระแส, SVC, อุปกรณ์จ่ายไฟของหัวรถจักร ฯลฯ
