ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากำลังสูงคุณภาพดีปี 2018 สำหรับการกรองกระแสสลับ - ตัวเก็บประจุ IGBT Snubber คุณภาพสูงสำหรับงานกำลังสูง – CRE

ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากำลังสูงคุณภาพดีปี 2018 สำหรับการกรองกระแสสลับ - ตัวเก็บประจุ IGBT Snubber คุณภาพสูงสำหรับงานกำลังสูง – ภาพเด่นจาก CRE

คำอธิบายโดยย่อ:

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ข้อเสนอแนะ (2)

เราจะทุ่มเทและทำงานอย่างหนักทุกวิถีทางเพื่อให้ได้ความเป็นเลิศและยอดเยี่ยม และเร่งพัฒนาเพื่อก้าวขึ้นสู่ระดับองค์กรชั้นนำระดับนานาชาติและองค์กรด้านเทคโนโลยีขั้นสูงตัวเก็บประจุ AC สำหรับวงจรกรองแบบพาสซีฟที่ปรับแต่งแล้ว , ตัวเก็บประจุแบบกระป๋องอลูมิเนียม , ตัวเก็บประจุฟิล์มประสิทธิภาพสูงเรายินดีต้อนรับลูกค้าจากทั่วทุกมุมโลกอย่างจริงใจ ให้มาเยี่ยมชมเรา ด้วยความร่วมมือที่หลากหลายของเรา เราจะร่วมมือกันเพื่อพัฒนาตลาดใหม่ ๆ และสร้างอนาคตที่โดดเด่นและเป็นประโยชน์ร่วมกัน

ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากำลังสูงคุณภาพดีปี 2018 สำหรับการกรองกระแสสลับ - ตัวเก็บประจุ IGBT Snubber คุณภาพสูงสำหรับงานกำลังสูง – รายละเอียดจาก CRE:

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิการทำงาน	อุณหภูมิใช้งานสูงสุด: +105℃ อุณหภูมิสูงสุด: +85℃ อุณหภูมิต่ำสุด: -40℃
ช่วงความจุ	0.1μF～5.6μF
แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด	700V.DC～3000V.DC
แคป.โทล	±5%(J);±10%(K)
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า	1.5Un DC/10S
ปัจจัยการกระจายตัว	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ความต้านทานฉนวน	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ที่อุณหภูมิ 20℃ แรงดันไฟฟ้า 100V.DC เป็นเวลา 60 วินาที) C＞0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ทนทานต่อกระแสไฟฟ้า	ดูเอกสารข้อมูลจำเพาะ
การหน่วงไฟ	UL94V-0
อายุขัยเฉลี่ย	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
มาตรฐานอ้างอิง	IEC61071;GB/T17702;

ตารางข้อมูลจำเพาะ

แรงดันไฟฟ้า	แรงดันไฟฟ้า 700V.DC, แรงดันไฟฟ้า 400VAC; แรงดันไฟฟ้า 1050V
	ขนาด (มม.)
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
แรงดันไฟฟ้า	Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ขนาด (มม.)
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	พ.ศ. 2517	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
แรงดันไฟฟ้า	Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	พ.ศ. 2517	32
แรงดันไฟฟ้า	แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง 1700V, แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 575V; แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 2250V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
แรงดันไฟฟ้า	Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us 3000V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
แรงดันไฟฟ้า	Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

ด้วยความมุ่งมั่นในการบริหารจัดการคุณภาพสูงอย่างเข้มงวดและการบริการลูกค้าอย่างเอาใจใส่ พนักงานที่มีประสบการณ์ของเราพร้อมให้คำปรึกษาเกี่ยวกับข้อกำหนดของคุณและรับประกันความพึงพอใจสูงสุดของลูกค้าสำหรับตัวเก็บประจุไฟฟ้ากำลังสูงคุณภาพสูงปี 2018 สำหรับการกรองกระแสสลับ - ตัวเก็บประจุ IGBT Snubber คุณภาพสูงสำหรับการใช้งานกำลังสูง – CRE ผลิตภัณฑ์ของเราจัดจำหน่ายไปทั่วโลก เช่น มาซิโดเนีย มัสกัต เยเมน เรามีประสบการณ์เพียงพอในการผลิตสินค้าตามตัวอย่างหรือแบบร่าง เรายินดีต้อนรับลูกค้าทั้งในและต่างประเทศเข้าเยี่ยมชมบริษัทของเรา และร่วมมือกับเราเพื่ออนาคตที่สดใสร่วมกัน

ตัวเก็บประจุฟิล์ม AC

ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากระแสสลับที่ออกแบบพิเศษ

ตัวเก็บประจุ DC-Link สำหรับระบบพลังงานหมุนเวียน

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มสำหรับเครื่องตรวจจับรังสีเอ็กซ์

ตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์ฮาร์มอนิก

ตัวเก็บประจุแรงดันสูงสำหรับขดลวดเทสลา

ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากระแสตรงแรงดันสูง

ตัวเก็บประจุอุตสาหกรรมสำหรับขาย

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบเรเดียล

ตัวเก็บประจุฟิล์มสนับเบอร์

คุณภาพดี ราคาสมเหตุสมผล มีให้เลือกหลากหลาย และบริการหลังการขายเยี่ยมยอด ดีมากเลย!

โดย แมรี่ จากสวีเดน - 12 สิงหาคม 2561 เวลา 12:27

ผู้จัดการบัญชีของบริษัทมีความรู้และประสบการณ์ในอุตสาหกรรมนี้มากมาย เขาสามารถจัดหาโปรแกรมที่เหมาะสมตามความต้องการของเราและพูดภาษาอังกฤษได้อย่างคล่องแคล่ว

โดย เฮนรี สโตเคลด์ จากเซเชลส์ - 28 สิงหาคม 2560 เวลา 16:02