ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบมีขาต่อแกนสำหรับวงจรเรโซแนนซ์

คำอธิบายโดยย่อ:

ตัวเก็บประจุสนับเบอร์แบบแกน SMJ-TE

ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์ (Snubber Capacitors) เป็นตัวเก็บประจุที่มีกระแสสูงและความถี่สูง มีขั้วต่อแบบแกน ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มแกนมีจำหน่ายที่ CRE เรามีสินค้า ราคา และเอกสารข้อมูลสำหรับตัวเก็บประจุแบบฟิล์มแกน

1. ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO9001 และ UL;

2. สินค้าคงคลังที่ครอบคลุม;

ส่งอีเมลถึงเรา ดาวน์โหลดเป็นไฟล์ PDF

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

แอปพลิเคชัน

ตัวลดแรงกระแทก IGBT
- ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังเมื่อมีการดูดซับแรงดันและกระแสสูงสุด

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิการทำงาน	อุณหภูมิใช้งานสูงสุด (ด้านบน): +85℃ อุณหภูมิหมวดหมู่บน: +85℃ อุณหภูมิหมวดหมู่ล่าง: -40℃
ช่วงความจุ	0.1μF～5.6μF
แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด	630V.DC～2000V.DC
แคป.โทล	±5%(J) ;±10%(K)
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า	1.5Un DC/10S
ปัจจัยการกระจายตัว	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ความต้านทานฉนวน	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ที่ 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (ที่ 20℃ 100V.DC 60S)
ทนทานต่อกระแสไฟฟ้า
อายุขัยเฉลี่ย	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
มาตรฐานอ้างอิง	IEC 61071 ;IEC 61881;GB/T17702

แอปพลิเคชัน

1. ตัวกันกระแทก IGBT, ตัวกันกระแทก GTO

2. หน้าที่พื้นฐานของสนับเบอร์คือการดูดซับพลังงานจากค่าความต้านทานเชิงเหนี่ยวนำในวงจรไฟฟ้า

3. มีการใช้งานอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังเมื่อต้องการป้องกันการดูดซับแรงดันสูงสุดและกระแสสูงสุด

ภาพร่างโครงร่าง

ตัวเก็บประจุแบบแกน SMJ-TE
แรงดันไฟฟ้า		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
ความจุ (uF)	ล (มม.±1)	ที (มม.±1)	H (มม.±1)	φd (มม.)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2
แรงดันไฟฟ้า		Un 1000V.DC; Urms 500Vac; Us 1500V
ความจุ (uF)	ล (มม.±1)	ที (มม.±1)	H (มม.±1)	φd (มม.)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	พ.ศ. 2517	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
แรงดันไฟฟ้า		Un 1200V.DC; Urms 550Vac; Us 1800V
ความจุ (uF)	ล (มม.±1)	ที (มม.±1)	H (มม.±1)	φd (มม.)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	พ.ศ. 2517	18.2
แรงดันไฟฟ้า		Un 1700V.DC; Urms 600Vac; Us 2550V
ความจุ (uF)	ล (มม.±1)	ที (มม.±1)	H (มม.±1)	φd (มม.)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800	18.2
แรงดันไฟฟ้า		Un 2000V.DC; Urms 700Vac; Us 3000V
ความจุ (uF)	ล (มม.±1)	ที (มม.±1)	H (มม.±1)	φd (มม.)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540	17.8
แรงดันไฟฟ้า		Un 3000V.DC; Urms 750Vac; Us 4500V
ความจุ (uF)	ล (มม.±1)	ที (มม.±1)	H (มม.±1)	φd (มม.)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5

คำถามที่พบบ่อย

คำถามที่ 1. ฉันสามารถสั่งซื้อตัวอย่างตัวเก็บประจุแบบฟิล์มได้หรือไม่?
A: ใช่ค่ะ เรายินดีรับคำสั่งซื้อตัวอย่างเพื่อทดสอบและตรวจสอบคุณภาพ ตัวอย่างแบบผสมก็สามารถส่งได้ค่ะ
*คำถามที่ 2. ระยะเวลานำส่งเป็นอย่างไร?*
A: การผลิตตัวอย่างใช้เวลา 3-5 วัน ส่วนการผลิตจำนวนมากใช้เวลา 1-2 สัปดาห์ หากสั่งซื้อในปริมาณมาก
Q3. คุณมีข้อจำกัดปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ (MOQ) สำหรับตัวเก็บประจุแบบฟิล์มหรือไม่?
A: สั่งซื้อขั้นต่ำน้อยมาก สามารถสั่งซื้อเพียง 1 ชิ้นสำหรับการตรวจสอบตัวอย่างได้
*คำถามที่ 4. ขั้นตอนการสั่งซื้อตัวเก็บประจุแบบฟิล์มเป็นอย่างไร?*
A: อันดับแรก โปรดแจ้งความต้องการหรือรายละเอียดการใช้งานของคุณให้เราทราบ ประการที่สอง เราจะเสนอราคาตามความต้องการของคุณหรือตามคำแนะนำของเรา ประการที่สาม ลูกค้ายืนยันตัวอย่างและวางเงินมัดจำสำหรับการสั่งซื้ออย่างเป็นทางการ ประการที่สี่ เราจัดการเรื่องการผลิต

Q5. คุณจัดส่งสินค้าอย่างไร และใช้เวลานานแค่ไหนกว่าสินค้าจะถึง?
A: โดยปกติเราจัดส่งสินค้าผ่านทาง DHL, UPS, FedEx หรือ TNT ซึ่งโดยทั่วไปจะใช้เวลา 3-5 วันในการจัดส่งถึงปลายทาง นอกจากนี้ยังมีบริการขนส่งทางอากาศและทางเรือให้เลือกอีกด้วย
*Q6. สามารถพิมพ์โลโก้ของฉันลงบนตัวเก็บประจุได้หรือไม่?*
A: ใช่ค่ะ กรุณาแจ้งให้เราทราบอย่างเป็นทางการก่อนเริ่มการผลิต และยืนยันแบบก่อนโดยอ้างอิงจากตัวอย่างของเราค่ะ
*Q7: คุณมีการรับประกันสินค้าหรือไม่?*
A: ใช่ครับ เราให้การรับประกันสินค้า 7 ปี