ผู้ผลิตจากประเทศจีนสำหรับตัวเก็บประจุ DC-Link สำหรับแหล่งจ่ายไฟ - ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโลหะ IGBT Snubber – CRE

ผู้ผลิตจากประเทศจีนสำหรับตัวเก็บประจุ DC-Link สำหรับแหล่งจ่ายไฟ - ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโลหะ IGBT Snubber – ภาพประกอบจาก CRE

คำอธิบายโดยย่อ:

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ข้อเสนอแนะ (2)

เราภาคภูมิใจในชื่อเสียงอันยอดเยี่ยมในหมู่ลูกค้าของเรา ด้วยคุณภาพสินค้าที่เหนือกว่า ราคาที่แข่งขันได้ และการบริการที่ดีที่สุดตัวเก็บประจุฟิล์มทรงกระบอกตัวเรือนอะลูมิเนียม , ไส้กรองแอร์แบบแห้ง , ตัวเก็บประจุแบบกระชากขอบคุณที่สละเวลาอันมีค่ามาเยี่ยมชมเรา และเราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้ร่วมมือกับท่านอย่างดียิ่ง

ผู้ผลิตจากประเทศจีนสำหรับตัวเก็บประจุ DC-Link สำหรับแหล่งจ่ายไฟ - ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโลหะ IGBT Snubber – รายละเอียดจาก CRE:

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิการทำงาน	อุณหภูมิใช้งานสูงสุด (ด้านบน): +105℃ อุณหภูมิในหมวดหมู่บน: +85℃ อุณหภูมิในหมวดหมู่ล่าง: -40℃
ช่วงความจุ	0.1μF～5.6μF
แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด	700V.DC～3000V.DC
แคป.โทล	±5%(J) ;±10%(K)
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า	1.5Un DC/10S
ปัจจัยการกระจายตัว	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ความต้านทานฉนวน	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ที่อุณหภูมิ 20℃ แรงดันไฟฟ้า 100V.DC เป็นเวลา 60 วินาที) C＞0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ทนทานต่อกระแสไฟฟ้า	具体见规格表
การหน่วงไฟ	UL94V-0
อายุขัยเฉลี่ย	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
มาตรฐานอ้างอิง	IEC61071;GB/T17702;

แรงดันไฟฟ้า			แรงดันไฟฟ้า 700V.DC, แรงดันไฟฟ้า 400VAC; แรงดันไฟฟ้า 1050V
	ขนาด (มม.)
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


แรงดันไฟฟ้า			Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ขนาด (มม.)
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	พ.ศ. 2517	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

แรงดันไฟฟ้า			Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	พ.ศ. 2517	32

แรงดันไฟฟ้า			แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง 1700V, แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 575V; แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 2250V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

แรงดันไฟฟ้า			Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us 3000V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

แรงดันไฟฟ้า			Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

คุณสมบัติ

1. พลาสติก ปิดผนึกด้วยเรซิน;

2. ขั้วต่อทองแดงชุบดีบุก ติดตั้ง IGBT ได้ง่าย

3. ทนต่อแรงดันไฟฟ้าสูง ค่า tgδ ต่ำ และอุณหภูมิเพิ่มขึ้นต่ำ

4. ค่า ESL และ ESR ต่ำ

5. กระแสพัลส์สูง

ด้วยการใช้โครงสร้างภายในที่มีค่าความเหนี่ยวนำต่ำ ตัวเรือนเรซินขึ้นรูปที่เป็นตัวเลือก และขั้วต่อที่ปรับแต่งได้ ซีรีส์ SMJ-P จึงได้รับการออกแบบมาสำหรับ IGBT แบบสวิตช์เร็ว และสามารถใช้เป็นตัวลดแรงดันกระชากและตัวกรองอินพุตความถี่สูงกระแสสูงได้

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

เรายังเชี่ยวชาญในการปรับปรุงระบบการบริหารจัดการและควบคุมคุณภาพ เพื่อให้มั่นใจได้ว่าเราสามารถรักษาผลกำไรที่ยอดเยี่ยมไว้ได้ในการแข่งขันที่ดุเดือดในฐานะผู้ผลิตตัวเก็บประจุ DC-Link สำหรับแหล่งจ่ายไฟ - ตัวเก็บประจุ IGBT Snubber ฟิล์มโลหะ – CRE ในประเทศจีน ผลิตภัณฑ์ของเราส่งออกไปทั่วโลก เช่น ซีแอตเติล เวลลิงตัน ลิทัวเนีย เราใช้ประโยชน์จากประสบการณ์ฝีมือ การบริหารจัดการทางวิทยาศาสตร์ และอุปกรณ์ที่ทันสมัย เพื่อให้มั่นใจในคุณภาพของผลิตภัณฑ์ เราไม่เพียงแต่ได้รับความไว้วางใจจากลูกค้า แต่ยังสร้างแบรนด์ของเราให้แข็งแกร่งอีกด้วย ปัจจุบัน ทีมงานของเรามุ่งมั่นที่จะสร้างสรรค์นวัตกรรม การเรียนรู้ และการผสมผสานกับการปฏิบัติอย่างต่อเนื่อง ภูมิปัญญา และปรัชญาที่โดดเด่น เราตอบสนองความต้องการของตลาดสำหรับผลิตภัณฑ์ระดับไฮเอนด์ เพื่อสร้างผลิตภัณฑ์ระดับมืออาชีพ

ตัวเก็บประจุฟิล์มสนับเบอร์แกน

ตัวเก็บประจุสำหรับ IGBT