ราคาพิเศษ! IGBT Snubber - ตัวเก็บประจุตัวกรอง AC (AKMJ-MC) – CRE

ราคาพิเศษ! IGBT Snubber - ตัวเก็บประจุตัวกรอง AC (AKMJ-MC) – ภาพเด่นจาก CRE

คำอธิบายโดยย่อ:

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ข้อเสนอแนะ (2)

เราสามารถจัดหาสินค้าคุณภาพดี ราคาที่แข่งขันได้ และบริการลูกค้าที่ดีที่สุด เป้าหมายของเราคือ "คุณมาที่นี่ด้วยความยากลำบาก และเราจะมอบรอยยิ้มให้คุณกลับไป"ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบติดตั้งบนแผงวงจรพิมพ์ (PCB Mounted Film Capacitor) , ตัวเก็บประจุ DC-Link สำหรับอินเวอร์เตอร์อุตสาหกรรม , วงจรสนับเบอร์สำหรับไทริสเตอร์กำลังสูงเราสัญญาว่าจะพยายามอย่างเต็มที่เพื่อส่งมอบผลิตภัณฑ์และบริการที่มีคุณภาพสูงและคุ้มค่าแก่คุณ

ราคาพิเศษ! IGBT Snubber - ตัวเก็บประจุตัวกรอง AC (AKMJ-MC) – รายละเอียดจาก CRE:

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิการทำงาน		อุณหภูมิใช้งานสูงสุด: +85℃ อุณหภูมิสำหรับประเภทบน: +70℃ อุณหภูมิสำหรับประเภทล่าง: -40℃
ช่วงความจุ	เฟสเดียว	20UF～500μF
	สามเฟส	3×40UF～3×200μF
แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด		330V.AC/50Hz～1140V.AC/50Hz
แคป.โทล		±5%(J) ;
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า		วีที-ที	2.15Un /10S
		วีที-ซี	1000+2×Un V.AC 60S(min3000V.AC)
แรงดันไฟฟ้าเกิน		1.1Un(30% ของโหลดระหว่างดำเนินการ)
		1.15 หน่วย (30 นาที/วัน)
		1.2 หน่วย (5 นาที/วัน)
		1.3 หน่วย (1 นาที/วัน)
		1.5Un (100ms ทุกครั้ง, 1000 ครั้งตลอดอายุการใช้งาน)
ปัจจัยการกระจายตัว		tgδ≤0.002 f=100Hz
		tgδ0≤0.0002
ความต้านทานฉนวน		RS*C≥10000S (ที่อุณหภูมิ 20℃ และแรงดันไฟฟ้า 100V.DC)
การหน่วงไฟ		UL94V-0
ระดับความสูงสูงสุด		2000 เมตร
		เมื่อระดับความสูงอยู่ระหว่าง 2,000 เมตรถึง 5,000 เมตร จำเป็นต้องพิจารณาใช้ปริมาณที่ลดลง (ทุกๆ การเพิ่มขึ้น 1,000 เมตร แรงดันไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้าจะลดลง 10%)
อายุขัยเฉลี่ย		100000h(Un; Θhotspot≤55 °C)
มาตรฐานอ้างอิง		IEC61071;IEC 60831;

คุณสมบัติ

1. ตัวเรือนทรงกลมทำจากอลูมิเนียม ปิดผนึกด้วยเรซิน;

2. สายไฟทองแดงแบบน็อต/สกรู พร้อมฝาครอบพลาสติกหุ้มฉนวน

3. ความจุขนาดใหญ่ ขนาดตามสั่ง

4. ทนต่อแรงดันไฟฟ้าสูง พร้อมระบบซ่อมแซมตัวเอง

5. ทนกระแสริปเปิลสูง และทนทานต่อ dv/dt สูง

แอปพลิเคชัน

1. ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังที่ใช้สำหรับการกรองกระแสสลับ

2. ใช้ใน UPS กำลังสูง แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง อินเวอร์เตอร์ และอุปกรณ์อื่นๆ สำหรับตัวกรอง AC การลดฮาร์โมนิกส์ และการปรับปรุงการควบคุมค่าตัวประกอบกำลัง

วงจรทั่วไป

mc2

อายุขัยเฉลี่ย

mc3

ภาพร่างโครงร่างของเฟสเดียว

ΦD(มม.)	พี (มม.)	H1(มม.)	S	F	M
76	32	20	เอ็ม12×16	M6×10	M8×20
86	32	20	เอ็ม12×16	M6×10	M8×20
96	45	20	เอ็ม12×16	M6×10	M8×20
116	50	22	เอ็ม12×16	M6×10	M8×20
136	50	30	M16×25	M6×10	M8×20

mc4

mc5

ภาพร่างโครงร่างของระบบสามเฟส

ΦD(มม.)	H1(มม.)	S	F	M	D1	P
116	40	เอ็ม12×16	M6×10	M8×20	50	43.5
136	30	M16×25	M6×10	M8×20	60	52

mc6

แรงดันไฟฟ้า			Un=330V.AC Us=1200V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิป(KA)	คือ (KA)	Irms(A)50℃	ค่า ESR (มิลลิโอห์ม) ที่ความถี่ 1 กิโลเฮิร์ตซ์	Rth(K/W)	พี (มม.)	น้ำหนัก (กก.)
80	76	80	40	80	6.4	19.2	30	4	4.2	32	0.5
120	86	80	40	70	8.4	25.2	40	2.8	3.3	32	0.7
150	96	80	45	70	10.5	31.5	50	3.5	1.7	45	0.75
170	76	130	50	60	10.2	30.6	60	3.2	1.3	32	0.75
230	86	130	50	60	13.8	41.4	70	2.4	1.3	32	1.1
300	96	130	50	50	15.0	45.0	75	2.8	1.0	45	1.2
420	116	130	60	50	21.0	63.0	80	1.9	1.2	50	1.6

แรงดันไฟฟ้า			Un=450V.AC Us=1520V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิป(KA)	คือ (KA)	Irms(A)50℃	ค่า ESR (มิลลิโอห์ม) ที่ความถี่ 1 กิโลเฮิร์ตซ์	Rth(K/W)	พี (มม.)	น้ำหนัก (กก.)
50	76	80	40	90	4.5	13.5	30	4	4.2	32	0.5
65	86	80	50	80	5.2	15.6	40	2.8	3.3	32	0.7
80	96	80	45	80	6.4	19.2	50	3.5	1.7	45	0.75
100	76	130	50	70	7.0	21.0	60	3.2	1.3	32	0.75
130	86	130	45	60	7.8	23.4	70	2.4	1.3	32	1.1
160	96	130	50	50	8.0	24.0	75	2.8	1.0	45	1.2
250	116	130	60	50	12.5	37.5	80	1.9	1.2	50	1.6

แรงดันไฟฟ้า			Un=690V.AC Us=2100V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิป(KA)	คือ (KA)	Irms(A)50℃	ค่า ESR (มิลลิโอห์ม) ที่ความถี่ 1 กิโลเฮิร์ตซ์	Rth(K/W)	พี (มม.)	น้ำหนัก (กก.)
40	76	130	50	100	4.0	12.0	30	2.8	6.0	32	0.75
50	76	150	45	90	4.5	13.5	35	2.4	5.1	32	0.85
60	86	130	45	80	4.8	14.4	40	2.2	4.3	32	1.1
65	86	150	50	80	5.2	15.6	45	1.8	4.1	32	1.2
75	96	130	50	80	6.0	18.0	50	1.5	4.0	45	1.2
80	96	150	55	75	6.0	18.0	60	1.2	3.5	45	1.3
110	116	130	60	70	7.7	23.1	65	0.8	4.4	50	1.6
120	116	150	65	50	6.0	18.0	75	0.6	4.4	50	1.8

แรงดันไฟฟ้า			Un=850V.AC Us=2850V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิป(KA)	คือ (KA)	Irms(A)50℃	ค่า ESR (มิลลิโอห์ม) ที่ความถี่ 1 กิโลเฮิร์ตซ์	Rth(K/W)	พี (มม.)	น้ำหนัก (กก.)
25	76	130	50	110	2.8	8.3	35	1.5	8.2	32	0.75
30	76	150	60	100	3.0	9.0	40	1.2	7.8	32	0.85
32	86	130	45	100	3.2	9.6	50	1.15	5.2	32	1.1
45	86	150	50	90	4.1	12.2	50	1.05	5.7	32	1.2
40	96	130	50	90	3.6	10.8	50	1	6.0	45	1.2
60	96	150	60	85	5.1	15.3	60	0.9	4.6	45	1.3
60	116	130	60	80	4.8	14.4	65	0.85	4.2	50	1.6
90	116	150	65	75	6.8	20.3	75	0.8	3.3	50	1.8

Cn (μF)		φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิป(KA)	คือ (KA)	Irms(A)	ESR (มิลลิโอห์ม)	Rth(K/W)	พี (มม.)	น้ำหนัก (กก.)

	แรงดันไฟฟ้า			Un=400V.AC Us=1200V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิป(KA)	คือ (KA)	Irms(A)50℃	ค่า ESR (มิลลิโอห์ม) ที่ความถี่ 1 กิโลเฮิร์ตซ์	Rth(K/W)	พี (มม.)	น้ำหนัก (กก.)
3×	110	116	130	100	60	6.6	19.8	3×50	3×0.78	4.5	43.5	1.6
3×	145	116	180	110	50	7.3	21.8	3×60	3×0.72	3.8	43.5	2.4
3×	175	116	210	120	50	8.8	26.3	3×75	3×0.67	3.5	43.5	2.7
3×	200	136	230	125	40	8.0	24.0	3×85	3×0.6	2.1	52	4.2

	แรงดันไฟฟ้า			Un=500V.AC Us=1520V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิป(KA)	คือ (KA)	Irms(A)50℃	ค่า ESR (มิลลิโอห์ม) ที่ความถี่ 1 กิโลเฮิร์ตซ์	Rth(K/W)	พี (มม.)	น้ำหนัก (กก.)
3×	100	116	180	100	80	8.0	24.0	3×45	3×0.78	4.5	43.5	2.6
3×	120	116	230	120	70	8.4	25.2	3×50	3×0.72	3.8	43.5	3
3×	125	136	180	110	40	5.0	15.0	3×70	3×0.67	3.5	52	3.2
3×	135	136	230	130	50	6.8	20.3	3×80	3×0.6	2.1	52	4.2

	แรงดันไฟฟ้า			Un=690V.AC Us=2100V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิป(KA)	คือ (KA)	Irms(A)50℃	ค่า ESR (มิลลิโอห์ม) ที่ความถี่ 1 กิโลเฮิร์ตซ์	Rth(K/W)	พี (มม.)	น้ำหนัก (กก.)
3×	49	116	230	120	70	3.4	10.3	3×56	3×0.55	2.1	43.5	3
3×	55.7	136	230	130	90	5.0	15.0	3×56	3×0.4	2.1	52	4.2

	แรงดันไฟฟ้า			Un=850V.AC Us=2580V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิป(KA)	คือ (KA)	Irms(A)50℃	ค่า ESR (มิลลิโอห์ม) ที่ความถี่ 1 กิโลเฮิร์ตซ์	Rth(K/W)	พี (มม.)	น้ำหนัก (กก.)
3×	41.5	116	230	120	80	3.0	9.0	3×56	3×0.55	2.1	43.5	3
3×	55.7	136	230	130	50	0.4	1.2	3×104	3×0.45	1.8	52	4.2

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

"คุณภาพมาก่อน ความซื่อสัตย์เป็นรากฐาน บริการด้วยความจริงใจ และผลประโยชน์ร่วมกัน" คือแนวคิดของเรา เพื่อการพัฒนาอย่างต่อเนื่องและมุ่งมั่นสู่ความเป็นเลิศสำหรับ IGBT Snubber - AC Filter Capacitor (AKMJ-MC) – CRE ในราคาประหยัด ผลิตภัณฑ์นี้จะจัดจำหน่ายไปทั่วโลก เช่น เอสโตเนีย อุรุกวัย ฟิลิปปินส์ เรายินดีเป็นอย่างยิ่งที่จะร่วมมือกับบริษัทต่างชาติที่ให้ความสำคัญกับคุณภาพที่แท้จริง การจัดหาที่มั่นคง ความสามารถที่แข็งแกร่ง และบริการที่ดี เราสามารถเสนอราคาที่แข่งขันได้มากที่สุดด้วยคุณภาพสูง เพราะเรามีความเป็นมืออาชีพมากกว่า คุณสามารถเยี่ยมชมบริษัทของเราได้ตลอดเวลา

ตัวเก็บประจุแหล่งจ่ายไฟกระแสสลับ

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบดีไซน์กะทัดรัด

ตัวเก็บประจุไฟฟ้าสำหรับระบายความร้อน

ตัวเก็บประจุฟิล์ม DC Link UL

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มชนิดแห้ง

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มที่ใช้ในเครื่องกระตุ้นหัวใจ

ตัวเก็บประจุฟิล์มกำลังสูง

ตัวเก็บประจุเตาเหนี่ยวนำความถี่ปานกลาง

ตัวเก็บประจุแบบติดตั้งบนแผงวงจรพิมพ์ (PCB Mounted Capacitor)

ตัวเก็บประจุตัวแปลงพลังงาน

ผู้จัดการมีวิสัยทัศน์ พวกเขามีแนวคิดเรื่อง "ผลประโยชน์ร่วมกัน การพัฒนาอย่างต่อเนื่อง และนวัตกรรม" เรามีการสนทนาและความร่วมมือที่ดีต่อกัน

โดยเบอร์ธา จากเนเธอร์แลนด์ - 18 สิงหาคม 2560 เวลา 18:38 น.

โรงงานมีอุปกรณ์ที่ทันสมัย พนักงานที่มีประสบการณ์ และระบบการจัดการที่ดี ดังนั้นจึงมั่นใจได้ในคุณภาพของผลิตภัณฑ์ ความร่วมมือครั้งนี้จึงราบรื่นและน่าพึงพอใจมาก!

โดย เจเนวีฟ จากซานฟรานซิสโก - 19 มิถุนายน 2018 เวลา 10:42