ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพีลีนคุณภาพดีเยี่ยม - ฟิล์ม Metalized IGBT Snubber ตัวเก็บประจุ – CRE

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพีลีนคุณภาพดีเยี่ยม - ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม Metalized IGBT Snubber - ภาพเด่น CRE

คำอธิบายสั้น:

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ผลตอบรับ (2)

เราเชื่อมั่นว่าด้วยความพยายามร่วมกัน องค์กรระหว่างเราจะนำมาซึ่งผลประโยชน์ร่วมกันเราสามารถรับประกันคุณภาพผลิตภัณฑ์หรือบริการและต้นทุนเชิงรุกให้กับคุณได้ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มออกแบบมาสำหรับอินเวอร์เตอร์ Pv , ตัวกรอง Ac แบบแห้ง , ตัวเก็บประจุ Dc Link สำหรับเครื่องเชื่อม Simens,สินค้าทั้งหมดมีคุณภาพดีและมีบริการหลังการขายที่สมบูรณ์แบบการมุ่งเน้นตลาดและการมุ่งเน้นลูกค้าคือสิ่งที่เราตามหาขอแสดงความนับถือหวังว่าจะได้รับความร่วมมือแบบ Win-Win!

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพีลีนคุณภาพดีเยี่ยม - ฟิล์ม Metalized IGBT Snubber ตัวเก็บประจุ – CRE รายละเอียด:

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน	Max.อุณหภูมิการทำงาน.,ด้านบน,สูงสุด: +105 ℃อุณหภูมิหมวดหมู่ด้านบน: +85 ℃อุณหภูมิหมวดหมู่ด้านล่าง: -40 ℃
ช่วงความจุ	0.1μF~5.6μF
แรงดันไฟฟ้าที่ได้รับการจัดอันดับ	700V.DC~3000V.DC
แคป.ตอล	±5%(เจ) ;±10%(เค)
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า	1.5Un DC/10S
ปัจจัยการกระจาย	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ความต้านทานของฉนวน	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20°C 100V.DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ทนต่อกระแสไฟกระชาก	具体见规格表
การหน่วงไฟ	UL94V-0
อายุขัย	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
มาตรฐานอ้างอิง	IEC61071;GB/T17702;

แรงดันไฟฟ้า			ไม่ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ขนาด (มม.)
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms ที่ 40 ℃ @ 100 KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1,000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1,050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1,050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


แรงดันไฟฟ้า			ไม่เกิน 1,000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ขนาด (มม.)
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1,000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1,050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

แรงดันไฟฟ้า			ไม่ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

แรงดันไฟฟ้า			ไม่ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

แรงดันไฟฟ้า			ไม่ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1,000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

แรงดันไฟฟ้า			ไม่เกิน 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1,020	28

คุณสมบัติ

1. พลาสติก ปิดผนึกด้วยเรซิน

2. เม็ดมีดทองแดงชุบดีบุกติดตั้งง่ายสำหรับ IGBT;

3. ความต้านทานต่อไฟฟ้าแรงสูง tgδต่ำ อุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นต่ำ

4. ESL และ ESR ต่ำ

5. กระแสพัลส์สูง

ด้วยการใช้โครงสร้างภายในที่มีการเหนี่ยวนำต่ำ เคสเรซินที่เป็นตัวเลือก และการสิ้นสุดแบบกำหนดเอง ซีรีส์ SMJ-P ได้รับการออกแบบมาเพื่อการสลับ IGBTS อย่างรวดเร็ว และสามารถทำหน้าที่เป็นตัวกรองอินพุตความถี่สูงกระแสสูงได้

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

ความพึงพอใจของนักช้อปคือเป้าหมายหลักของเราเรายึดมั่นในความเป็นมืออาชีพ คุณภาพ ความน่าเชื่อถือ และการซ่อมแซมในระดับที่สอดคล้องกันสำหรับตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพีลีนคุณภาพดีเยี่ยม - ฟิล์ม Metalized IGBT Snubber ตัวเก็บประจุ – CRE ผลิตภัณฑ์จะจัดหาไปทั่วโลก เช่น: โรมัน, แทนซาเนีย, คาซาน เราจะทำ สูงสุดของเราในการร่วมมือและพอใจกับคุณโดยอาศัยคุณภาพชั้นยอดและราคาที่แข่งขันได้และบริการหลังการขายที่ดีที่สุด หวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้ร่วมมือกับคุณและสร้างความสำเร็จในอนาคต!

ธนาคารตัวเก็บประจุฟิล์ม Ac

ตัวเก็บประจุสำหรับเตาเหนี่ยวนำความถี่ปานกลาง

ตัวเก็บประจุ Dc Link สำหรับรถส่งของ

ผู้จำหน่ายตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม

ตัวเก็บประจุฟิล์มประสิทธิภาพสูง

ตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์กำลังสูง

ตัวเก็บประจุลิงค์ Dc คุณภาพสูง

ตัวเก็บประจุลิงค์ Dc ไฟฟ้าแรงสูง

Igbt ตัวเก็บประจุวงจรดูดซับ

เอ็มเคพี คาปาซิเตอร์

เจ้าหน้าที่ด้านเทคนิคของโรงงานไม่เพียงแต่มีเทคโนโลยีระดับสูงเท่านั้น แต่ยังมีระดับภาษาอังกฤษที่ดีมากอีกด้วย นี่เป็นความช่วยเหลือที่ดีเยี่ยมในการสื่อสารทางเทคโนโลยี