โรงงานทำ Snubber ขายร้อนสำหรับไทริสเตอร์กำลังสูง - การออกแบบตัวเก็บประจุ IGBT Snubber ระดับสูงสำหรับการใช้งานพลังงานสูง - CRE

โรงงานทำ Snubber ขายร้อนสำหรับไทริสเตอร์กำลังสูง - การออกแบบตัวเก็บประจุ IGBT Snubber ระดับสูงสำหรับการใช้งานพลังงานสูง - ภาพเด่น CRE

คำอธิบายสั้น:

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ผลตอบรับ (2)

สิ่งอำนวยความสะดวกที่มีอุปกรณ์ครบครันของเราและการจัดการคุณภาพที่ยอดเยี่ยมตลอดทุกขั้นตอนการผลิตช่วยให้เรารับประกันความพึงพอใจของนักช้อปได้ทั้งหมดเครื่องเชื่อมอินเวอร์เตอร์ ดีซีลิงค์ คาปาซิเตอร์ , ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มสำหรับอินเวอร์เตอร์ Abb , ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ดังนั้นเราจึงสามารถตอบสนองข้อซักถามที่แตกต่างจากลูกค้าหลายรายกรุณาค้นหาเว็บไซต์ของเราเพื่อตรวจสอบข้อมูลเพิ่มเติมจากผลิตภัณฑ์ของเรา

โรงงานทำ Snubber ขายร้อนสำหรับไทริสเตอร์กำลังสูง - การออกแบบตัวเก็บประจุ IGBT Snubber ระดับสูงสำหรับการใช้งานพลังงานสูง – CRE รายละเอียด:

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน	Max.อุณหภูมิในการทำงาน.,ด้านบน,สูงสุด: +105℃ อุณหภูมิหมวดหมู่บน: +85 ℃ อุณหภูมิหมวดหมู่ต่ำกว่า: -40 ℃
ช่วงความจุ	0.1μF~5.6μF
แรงดันไฟฟ้าที่ได้รับการจัดอันดับ	700V.DC~3000V.DC
แคป.ตอล	±5%(เจ);±10%(เค)
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า	1.5Un DC/10S
ปัจจัยการกระจาย	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ความต้านทานของฉนวน	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20°C 100V.DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ทนต่อกระแสไฟกระชาก	ดูเอกสารข้อมูล
การหน่วงไฟ	UL94V-0
อายุขัย	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
มาตรฐานอ้างอิง	IEC61071;GB/T17702;

ตารางข้อมูลจำเพาะ

แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ขนาด (มม.)
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms ที่ 40 ℃ @ 100 KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1,000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1,050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1,050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
แรงดันไฟฟ้า	ไม่เกิน 1,000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ขนาด (มม.)
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1,000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1,050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1,000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่เกิน 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1,020	28

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

โดยปกติความตั้งใจของเราคือการทำให้ผู้ซื้อพึงพอใจโดยการนำเสนอผู้ให้บริการระดับทอง อัตราที่ดีเยี่ยมและคุณภาพดีสำหรับโรงงานที่ทำ Snubber ขายร้อนสำหรับไทริสเตอร์กำลังสูง - การออกแบบตัวเก็บประจุ IGBT Snubber ระดับสูงสำหรับการใช้งานพลังงานสูง - CRE ผลิตภัณฑ์จะจัดหาให้กับทุกคน ทั่วโลกเช่น: โมนาโก, โปรตุเกส, มอนทรีออล เรามีลูกค้าจากกว่า 20 ประเทศและชื่อเสียงของเราได้รับการยอมรับจากลูกค้าที่นับถือของเราการปรับปรุงอย่างไม่สิ้นสุดและการมุ่งมั่นเพื่อให้ข้อบกพร่อง 0% คือนโยบายคุณภาพหลักสองประการของเราหากคุณต้องการอะไร อย่าลังเลที่จะติดต่อเรา

ตัวกรอง Ac ที่ใช้สำหรับระบบไฟฟ้าฉุดราง

ตัวเก็บประจุ Dc-Link สำหรับอินเวอร์เตอร์อุตสาหกรรม

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มชนิดแห้ง

โรงงานตัวเก็บประจุฟิล์ม

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม

ผู้จัดจำหน่ายตัวเก็บประจุระดับโลก

ตัวเก็บประจุเก็บพลังงานสูง

Igbt Snubber