• บีบีบี

โรงงานผลิตตัวเก็บประจุสนับเบอร์สำหรับ IGBT - ตัวเก็บประจุสนับเบอร์ฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำ สำหรับการใช้งาน IGBT – CRE

คำอธิบายโดยย่อ:


รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ข้อเสนอแนะ (2)

นวัตกรรม ความเป็นเลิศ และความน่าเชื่อถือ คือค่านิยมหลักของบริษัทเรา หลักการเหล่านี้มีความสำคัญยิ่งกว่าครั้งไหน ๆ ในปัจจุบัน และเป็นรากฐานแห่งความสำเร็จของเราในฐานะธุรกิจขนาดกลางที่ดำเนินงานในระดับสากลตัวเก็บประจุ DC-Link สำหรับการใช้งานในยานยนต์ , ตัวเก็บประจุ DC-Link ในตัวแปลงไฟ , ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพีลีนแรงดันสูงเราให้ความสำคัญกับคุณภาพและความพึงพอใจของลูกค้าเป็นอันดับแรก และด้วยเหตุนี้เราจึงปฏิบัติตามมาตรการควบคุมคุณภาพอย่างเข้มงวด เรามีสิ่งอำนวยความสะดวกในการทดสอบภายในองค์กร ซึ่งผลิตภัณฑ์ของเราจะได้รับการทดสอบในทุกแง่มุมในขั้นตอนการผลิตต่างๆ ด้วยเทคโนโลยีที่ทันสมัย ​​เราจึงสามารถให้บริการลูกค้าด้วยบริการผลิตสินค้าตามความต้องการเฉพาะของลูกค้าได้
โรงงานผลิตตัวเก็บประจุสนับเบอร์สำหรับ IGBT - ตัวเก็บประจุสนับเบอร์แบบฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำ สำหรับการใช้งาน IGBT – รายละเอียดจาก CRE:

ซีรี่ส์ SMJ-P

ช่วงแรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 1000 VDC ถึง 2000 VDC
ช่วงค่าความจุ: 0.1 ไมโครฟารัด ถึง 3.0 ไมโครฟารัด
ระยะห่างระหว่างรูยึด: 22.5 มม. ถึง 48 มม.
โครงสร้าง: ฉนวนโพลีโพรพีลีนเคลือบโลหะ การเชื่อมต่อแบบอนุกรมภายใน
การใช้งาน: การป้องกัน IGBT, วงจรถังเรโซแนนซ์

ตัวเก็บประจุแบบแห้งชนิดซ่อมแซมตัวเองได้ (Snubber capacitor) ผลิตขึ้นโดยใช้ฟิล์ม PP เคลือบโลหะที่มีรูปทรงพิเศษแบบตัดเป็นคลื่น ซึ่งช่วยให้มีค่าความเหนี่ยวนำต่ำ ความต้านทานต่อการแตกหักสูง และความน่าเชื่อถือสูง ไม่จำเป็นต้องตัดการเชื่อมต่อเมื่อแรงดันเกิน ด้านบนของตัวเก็บประจุปิดผนึกด้วยอีพ็อกซี่ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมและไม่ติดไฟ การออกแบบพิเศษนี้ช่วยให้มีค่าความเหนี่ยวนำต่ำมาก

IMG_0397.HEIC

ตารางข้อมูลจำเพาะ

แรงดันไฟฟ้า แรงดันไฟฟ้า 700V.DC, แรงดันไฟฟ้า 400VAC; แรงดันไฟฟ้า 1050V
ขนาด (มม.)
Cn(μF) ล(±1) ที(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) อิปเค(เอ) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
แรงดันไฟฟ้า Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
ขนาด (มม.)
Cn(μF) ล(±1) ที(±1) H(±1) ESR (มิลลิโอห์ม) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) เออร์มส์
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 พ.ศ. 2517 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
แรงดันไฟฟ้า Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF) ล(±1) ที(±1) H(±1) ESR (มิลลิโอห์ม) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) เออร์มส์
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 พ.ศ. 2517 32
แรงดันไฟฟ้า แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง 1700V, แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 575V; แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 2250V
Cn(μF) ล(±1) ที(±1) H(±1) ESR (มิลลิโอห์ม) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) เออร์มส์
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
แรงดันไฟฟ้า Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us 3000V
Cn(μF) ล(±1) ที(±1) H(±1) ESR (มิลลิโอห์ม) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) เออร์มส์
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
แรงดันไฟฟ้า Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
Cn(μF) ล(±1) ที(±1) H(±1) ESR (มิลลิโอห์ม) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) เออร์มส์
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

ภาพรายละเอียดสินค้า:

โรงงานผลิตตัวเก็บประจุสนับเบอร์สำหรับ IGBT - ตัวเก็บประจุสนับเบอร์ฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำ สำหรับการใช้งาน IGBT – ภาพรายละเอียดจาก CRE

โรงงานผลิตตัวเก็บประจุสนับเบอร์สำหรับ IGBT - ตัวเก็บประจุสนับเบอร์ฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำ สำหรับการใช้งาน IGBT – ภาพรายละเอียดจาก CRE

โรงงานผลิตตัวเก็บประจุสนับเบอร์สำหรับ IGBT - ตัวเก็บประจุสนับเบอร์ฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำ สำหรับการใช้งาน IGBT – ภาพรายละเอียดจาก CRE

โรงงานผลิตตัวเก็บประจุสนับเบอร์สำหรับ IGBT - ตัวเก็บประจุสนับเบอร์ฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำ สำหรับการใช้งาน IGBT – ภาพรายละเอียดจาก CRE


คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

เรายึดมั่นในเป้าหมาย "เป็นมิตรกับลูกค้า เน้นคุณภาพ บูรณาการ และสร้างสรรค์" "ความจริงและความซื่อสัตย์" คืออุดมคติในการบริหารจัดการของเราสำหรับโรงงานผลิตตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับ IGBT – ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์ฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำสำหรับการใช้งาน IGBT – CRE ผลิตภัณฑ์ของเราส่งออกไปทั่วโลก เช่น กานา เฮติ บราซิเลีย ผลิตภัณฑ์ของเราได้รับการยอมรับและไว้วางใจจากผู้ใช้อย่างกว้างขวาง และสามารถตอบสนองความต้องการทางเศรษฐกิจและสังคมที่เปลี่ยนแปลงอยู่ตลอดเวลา เรายินดีต้อนรับลูกค้าทั้งเก่าและใหม่จากทุกสาขาอาชีพให้ติดต่อเราเพื่อสร้างความสัมพันธ์ทางธุรกิจในอนาคตและความสำเร็จร่วมกัน!
  • คุณภาพสินค้าดี ระบบการประกันคุณภาพครบถ้วน ทุกขั้นตอนสามารถสอบถามและแก้ไขปัญหาได้ทันท่วงที! 5 ดาว โดย Yannick Vergoz จากโอมาน - 28 กันยายน 2017 เวลา 18:29
    ด้วยการยึดมั่นในหลักการทางธุรกิจที่มุ่งเน้นผลประโยชน์ร่วมกัน เราจึงมีการทำธุรกรรมที่ราบรื่นและประสบความสำเร็จ เราเชื่อว่าเราจะเป็นพันธมิตรทางธุรกิจที่ดีที่สุดต่อกัน 5 ดาว โดย เกล จากไคโร - 11 พฤศจิกายน 2018 เวลา 19:52

    ส่งข้อความของคุณมาถึงเรา:

    เขียนข้อความของคุณที่นี่แล้วส่งมาให้เรา

    ส่งข้อความของคุณมาถึงเรา: