E-mail: info@cre-elec.com

ตัวเก็บประจุ Snubber GTO ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง

ตัวเก็บประจุ snubber GTO ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง ภาพเด่น

คำอธิบายสั้น:

วงจร Snubber เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับไดโอดที่ใช้ในวงจรสวิตชิ่งสามารถบันทึกไดโอดจากแรงดันไฟเกิน ซึ่งอาจเกิดขึ้นในระหว่างกระบวนการกู้คืนแบบย้อนกลับ

ส่งอีเมลถึงเรา ดาวน์โหลดเป็น PDF

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน	Max.อุณหภูมิในการทำงาน.,ด้านบน,สูงสุด: + 85 ℃อุณหภูมิหมวดหมู่ด้านบน: +85 ℃อุณหภูมิหมวดหมู่ด้านล่าง: -40 ℃
ช่วงความจุ	0.22~3μF
แรงดันไฟฟ้าที่ได้รับการจัดอันดับ	3000V.DC~10000V.DC
แคป.ตอล	±5%(เจ) ;±10%(เค)
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า	1.35Un DC/10S
ปัจจัยการกระจาย	tgδ≤0.001 f=1KHz
ความต้านทานของฉนวน	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ที่ 20°C 100V.DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S (ที่ 20°C 100V.DC 60S)
ทนต่อกระแสไฟกระชาก	ดูเอกสารข้อมูล
อายุขัย	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
มาตรฐานอ้างอิง	ไออีซี 61071 ;

คุณสมบัติ

1. เทป Mylar ปิดผนึกด้วยเรซิน

2. น็อตทองแดง

3. ความต้านทานต่อไฟฟ้าแรงสูง tgδต่ำ อุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นต่ำ

4. ESL และ ESR ต่ำ

5. กระแสพัลส์สูง

แอปพลิเคชัน

1. GTO ดูแคลน

2. ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังเมื่อแรงดันไฟฟ้าสูงสุด, การป้องกันการดูดซับกระแสไฟสูงสุด

วงจรทั่วไป

การวาดภาพโครงร่าง

ข้อมูลจำเพาะ

Un=3000V.DC
ความจุไฟฟ้า (μF)	φD (มม.)	ลิตร(มิลลิเมตร)	L1(มิลลิเมตร)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไอร์มส์(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1,000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1,000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
ความจุไฟฟ้า (μF)	φD (มม.)	ลิตร(มิลลิเมตร)	L1(มิลลิเมตร)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไอร์มส์(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1,000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
ความจุไฟฟ้า (μF)	φD (มม.)	ลิตร(มิลลิเมตร)	L1(มิลลิเมตร)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไอร์มส์(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1,000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
ความจุ(μF)	φD (มม.)	ลิตร(มิลลิเมตร)	L1(มิลลิเมตร)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไอร์มส์(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1,000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1,050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10,000V.DC
ความจุไฟฟ้า (μF)	φD (มม.)	ลิตร(มิลลิเมตร)	L1(มิลลิเมตร)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไอร์มส์(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1,000	1,000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70

ก่อนหน้า: ตัวเก็บประจุบัส DC สำหรับตัวแปลงที่ใช้ IGBT ในเครื่องมือฉุด

ต่อไป: ตัวเก็บประจุฟิล์มอิเล็กทรอนิกส์กำลัง

ส่งข้อความของคุณถึงเรา:

เขียนข้อความของคุณที่นี่แล้วส่งมาให้เรา

หมวดหมู่สินค้า

ส่งข้อความของคุณถึงเรา: