การคัดเลือกจำนวนมากสำหรับตัวเก็บประจุ Dc-Link สำหรับตัวแปลงทางอุตสาหกรรม - การออกแบบตัวเก็บประจุ IGBT Snubber ระดับสูงสำหรับการใช้งานพลังงานสูง - CRE

คำอธิบายสั้น:

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ผลตอบรับ (2)

ธุรกิจของเราให้ความสำคัญกับการบริหารงาน การแนะนำพนักงานที่มีความสามารถ บวกกับการสร้างทีมงาน พยายามอย่างหนักที่จะยกระดับมาตรฐานและความสำนึกผิดของลูกค้าด้านบุคลากรบริษัทของเราประสบความสำเร็จในการได้รับการรับรอง IS9001 และการรับรอง CE ของยุโรปโซลูชันตัวเก็บประจุเฉพาะ , Snubber สำหรับไทริสเตอร์กำลังสูง , ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มชนิดแห้งด้วยการพัฒนาสังคมและเศรษฐกิจ บริษัทของเราจะรักษาหลักการ "เน้นความไว้วางใจ คุณภาพเป็นอันดับแรก" ยิ่งกว่านั้น เราคาดหวังที่จะสร้างอนาคตอันรุ่งโรจน์กับลูกค้าทุกคน

การคัดเลือกจำนวนมากสำหรับตัวเก็บประจุ Dc-Link สำหรับตัวแปลงทางอุตสาหกรรม - การออกแบบตัวเก็บประจุ IGBT Snubber ระดับสูงสำหรับการใช้งานพลังงานสูง – รายละเอียด CRE:

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน	Max.อุณหภูมิในการทำงาน.,ด้านบน,สูงสุด: +105℃ อุณหภูมิหมวดหมู่บน: +85 ℃ อุณหภูมิหมวดหมู่ต่ำกว่า: -40 ℃
ช่วงความจุ	0.1μF~5.6μF
แรงดันไฟฟ้าที่ได้รับการจัดอันดับ	700V.DC~3000V.DC
แคป.ตอล	±5%(เจ);±10%(เค)
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า	1.5Un DC/10S
ปัจจัยการกระจาย	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ความต้านทานของฉนวน	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20°C 100V.DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ทนต่อกระแสไฟกระชาก	ดูเอกสารข้อมูล
การหน่วงไฟ	UL94V-0
อายุขัย	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
มาตรฐานอ้างอิง	IEC61071;GB/T17702;

ตารางข้อมูลจำเพาะ

แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ขนาด (มม.)
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms ที่ 40 ℃ @ 100 KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1,000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1,050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1,050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
แรงดันไฟฟ้า	ไม่เกิน 1,000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ขนาด (มม.)
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1,000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1,050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1,000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่เกิน 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1,020	28

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

เรายึดมั่นในจิตวิญญาณองค์กรของเราในเรื่อง "คุณภาพ ประสิทธิภาพ นวัตกรรม และความซื่อสัตย์"เรามุ่งมั่นที่จะสร้างมูลค่าเพิ่มให้กับลูกค้าของเราด้วยทรัพยากรที่อุดมสมบูรณ์ เครื่องจักรขั้นสูง พนักงานที่มีประสบการณ์ และบริการที่เป็นเลิศสำหรับการคัดเลือกจำนวนมากสำหรับตัวเก็บประจุ Dc-Link สำหรับตัวแปลงทางอุตสาหกรรม - การออกแบบตัวเก็บประจุ IGBT Snubber ระดับสูงสำหรับการใช้งานพลังงานสูง - CRE ผลิตภัณฑ์ จะจัดส่งไปทั่วโลก เช่น: อิรัก สตุ๊ตการ์ท สโลวีเนีย ผลิตภัณฑ์จำนวนมากปฏิบัติตามหลักเกณฑ์สากลที่เข้มงวดที่สุด และด้วยบริการจัดส่งชั้นหนึ่งของเรา คุณจะจัดส่งสินค้าได้ตลอดเวลาและทุกที่และเนื่องจาก Kayo จำหน่ายอุปกรณ์ป้องกันทุกประเภท ลูกค้าของเราจึงไม่จำเป็นต้องเสียเวลาไปซื้อของ

ตัวเก็บประจุ Dc-Link ในตัวแปลงพลังงาน

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม

ตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์คุณภาพดี

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มต้านทานกระแสสูง

ขายตัวเก็บประจุอุตสาหกรรม

อินเวอร์เตอร์ตัวเก็บประจุกรอง Ac เอาท์พุต

ตัวเก็บประจุฟิล์ม ESL ต่ำ

ตัวเก็บประจุฟิล์มพัลส์พาวเวอร์

ตัวเก็บประจุแบบรักษาตัวเอง

ตัวเก็บประจุ Snubber สำหรับ Infineon Igbt

ในเว็บไซต์นี้หมวดหมู่สินค้ามีความชัดเจนและสมบูรณ์ ฉันสามารถค้นหาสินค้าที่ต้องการได้อย่างรวดเร็วและง่ายดาย ดีมากจริงๆ!

โดย Victoria จากเช็ก - 2017.07.07 13:00 น

พนักงานบริการลูกค้ามีความอดทนสูงและมีทัศนคติเชิงบวกและก้าวหน้าต่อความสนใจของเรา เพื่อให้เรามีความเข้าใจอย่างครอบคลุมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์และในที่สุดเราก็บรรลุข้อตกลงได้ ขอบคุณ!

By Prudence จากญี่ปุ่น - 2018.11.06 10:04