ผู้ผลิต OEM ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มอิเล็กทรอนิกส์กำลัง - การออกแบบตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม snubber กระแสสูงสุดสูงสำหรับการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์กำลัง IGBT - CRE

ผู้ผลิต OEM ตัวเก็บประจุฟิล์มอิเล็กทรอนิกส์กำลัง - การออกแบบตัวเก็บประจุฟิล์ม snubber กระแสสูงสุดสูงสำหรับการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์กำลัง IGBT - ภาพเด่น CRE

คำอธิบายสั้น:

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ผลตอบรับ (2)

เรามอบอำนาจที่ดีในด้านคุณภาพและความก้าวหน้า การขายสินค้า การตลาดและการดำเนินงานทางอินเทอร์เน็ตสำหรับตัวเก็บประจุไฟฟ้าแรงสูงอิเล็กทรอนิกส์ , ตัวเก็บประจุตัวเหนี่ยวนำต่ำ , การออกแบบตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม,เรายินดีต้อนรับลูกค้า สมาคมธุรกิจ และเพื่อนจากทั่วทุกมุมโลกที่จะติดต่อเราและขอความร่วมมือเพื่อผลประโยชน์ร่วมกัน

ผู้ผลิต OEM ตัวเก็บประจุฟิล์มอิเล็กทรอนิกส์กำลัง - การออกแบบตัวเก็บประจุฟิล์ม snubber กระแสสูงสุดสูงสำหรับการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์กำลัง IGBT - รายละเอียด CRE:

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน	Max.อุณหภูมิในการทำงาน.,ด้านบน,สูงสุด: +105℃ อุณหภูมิหมวดหมู่บน: +85 ℃ อุณหภูมิหมวดหมู่ต่ำกว่า: -40 ℃
ช่วงความจุ	0.1μF~5.6μF
แรงดันไฟฟ้าที่ได้รับการจัดอันดับ	700V.DC~3000V.DC
แคป.ตอล	±5%(เจ);±10%(เค)
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า	1.5Un DC/10S
ปัจจัยการกระจาย	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ความต้านทานของฉนวน	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20°C 100V.DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ทนต่อกระแสไฟกระชาก	ดูเอกสารข้อมูล
การหน่วงไฟ	UL94V-0
อายุขัย	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
มาตรฐานอ้างอิง	IEC61071;GB/T17702;

ตารางข้อมูลจำเพาะ

แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ขนาด (มม.)
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms ที่ 40 ℃ @ 100 KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1,000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1,050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1,050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
แรงดันไฟฟ้า	ไม่เกิน 1,000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ขนาด (มม.)
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1,000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1,050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1,000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
แรงดันไฟฟ้า	ไม่เกิน 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1,020	28

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

เพื่อเพิ่มโปรแกรมการจัดการอย่างสม่ำเสมอโดยอาศัยหลัก "ด้วยความจริงใจ ศาสนาที่ดีและมีคุณภาพสูงเป็นฐานของการพัฒนาองค์กร" เราจึงซึมซับสาระสำคัญของผลิตภัณฑ์ที่เชื่อมโยงในระดับสากลอย่างมาก และผลิตสินค้าใหม่อย่างต่อเนื่องเพื่อตอบสนองความต้องการของผู้ซื้อ สำหรับผู้ผลิต OEM ตัวเก็บประจุฟิล์มอิเล็กทรอนิกส์กำลัง - การออกแบบตัวเก็บประจุฟิล์ม snubber กระแสสูงสุดในปัจจุบันสำหรับการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์กำลัง IGBT - CRE ผลิตภัณฑ์จะจัดหาไปทั่วโลกเช่น: โครเอเชีย, ไมอามี, ฮังการีตอนนี้เรากำลังรอคอยที่จะได้ ความร่วมมือที่มากขึ้นกับลูกค้าต่างประเทศโดยคำนึงถึงผลประโยชน์ร่วมกันเราจะทำงานอย่างเต็มที่เพื่อปรับปรุงผลิตภัณฑ์และบริการของเรานอกจากนี้เรายังสัญญาว่าจะทำงานร่วมกับพันธมิตรทางธุรกิจเพื่อยกระดับความร่วมมือของเราให้สูงขึ้นและแบ่งปันความสำเร็จร่วมกันยินดีต้อนรับคุณอย่างอบอุ่นเข้าเยี่ยมชมโรงงานของเราด้วยความจริงใจ

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม Axial Snubber

ตัวเก็บประจุ Ac ที่ออกแบบเอง

ตัวเก็บประจุกรณีพลาสติกทรงกระบอก

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มชนิดแห้ง

เอสเอส คาปาซิเตอร์

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มสำหรับระบบไฟฟ้าพลังงานใหม่

ตัวเก็บประจุกรอง Ac ประสิทธิภาพสูง

ตัวเก็บประจุแหล่งจ่ายไฟความร้อนเหนี่ยวนำ

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม Metallized สำหรับตัวขยายเซลล์

ตัวเก็บประจุฟิล์ม Snubber

ในผู้ค้าส่งที่ให้ความร่วมมือของเรา บริษัทนี้มีคุณภาพดีที่สุดและราคาสมเหตุสมผล พวกเขาเป็นตัวเลือกแรกของเรา

โดย Klemen Hrovat จากโครเอเชีย - 2018.08.12 12:27 น

บริษัทนี้มีแนวคิดเรื่อง "คุณภาพที่ดีขึ้น ต้นทุนการประมวลผลที่ลดลง ราคาสมเหตุสมผลมากขึ้น" ดังนั้นจึงมีคุณภาพและราคาของผลิตภัณฑ์ที่แข่งขันได้ นั่นคือเหตุผลหลักที่เราเลือกที่จะร่วมมือ

โดย John biddlestone จากสหรัฐอาหรับเอมิเรตส์ - 2018.09.21 11:01