สินค้ายอดนิยม ตัวเก็บประจุแบบขั้วต่อสี่ขา - ตัวเก็บประจุแบบ IGBT Snubber ฟิล์มโลหะ – CRE

สินค้ายอดนิยม ตัวเก็บประจุแบบขั้วต่อสี่ขา - ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์ IGBT ฟิล์มโลหะ – CRE ภาพเด่น

คำอธิบายโดยย่อ:

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ข้อเสนอแนะ (2)

เสนอราคาที่รวดเร็วและดีเยี่ยม ที่ปรึกษาผู้เชี่ยวชาญช่วยคุณเลือกสินค้าที่เหมาะสมกับความต้องการของคุณ ระยะเวลาการผลิตสั้น การจัดการที่ยอดเยี่ยมและมีความรับผิดชอบ รวมถึงบริษัทต่างๆ ที่จัดการเรื่องการชำระเงินและการจัดส่งให้ตัวกันกระแทก Gto ที่มี Dv/Dt สูงและทนทาน , ตัวเก็บประจุ Ess , ตัวเก็บประจุตัวกรองกระแสสลับความถี่สูงเพื่อรับประโยชน์จากศักยภาพด้าน OEM/ODM ที่แข็งแกร่งและบริการที่เอาใจใส่ของเรา โปรดติดต่อเราในวันนี้ เรายินดีที่จะสร้างและแบ่งปันความสำเร็จร่วมกับลูกค้าทุกท่านด้วยความจริงใจ

สินค้ายอดนิยม ตัวเก็บประจุแบบขั้วต่อสี่ขา - ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโลหะ IGBT Snubber – CRE รายละเอียด:

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิการทำงาน	อุณหภูมิใช้งานสูงสุด (ด้านบน): +105℃ อุณหภูมิในหมวดหมู่บน: +85℃ อุณหภูมิในหมวดหมู่ล่าง: -40℃
ช่วงความจุ	0.1μF～5.6μF
แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด	700V.DC～3000V.DC
แคป.โทล	±5%(J) ;±10%(K)
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า	1.5Un DC/10S
ปัจจัยการกระจายตัว	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ความต้านทานฉนวน	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ที่อุณหภูมิ 20℃ แรงดันไฟฟ้า 100V.DC เป็นเวลา 60 วินาที) C＞0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ทนทานต่อกระแสไฟฟ้า	具体见规格表
การหน่วงไฟ	UL94V-0
อายุขัยเฉลี่ย	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
มาตรฐานอ้างอิง	IEC61071;GB/T17702;

แรงดันไฟฟ้า			แรงดันไฟฟ้า 700V.DC, แรงดันไฟฟ้า 400VAC; แรงดันไฟฟ้า 1050V
	ขนาด (มม.)
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


แรงดันไฟฟ้า			Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ขนาด (มม.)
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	พ.ศ. 2517	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

แรงดันไฟฟ้า			Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	พ.ศ. 2517	32

แรงดันไฟฟ้า			แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง 1700V, แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 575V; แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 2250V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

แรงดันไฟฟ้า			Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us 3000V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

แรงดันไฟฟ้า			Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

คุณสมบัติ

1. พลาสติก ปิดผนึกด้วยเรซิน;

2. ขั้วต่อทองแดงชุบดีบุก ติดตั้ง IGBT ได้ง่าย

3. ทนต่อแรงดันไฟฟ้าสูง ค่า tgδ ต่ำ และอุณหภูมิเพิ่มขึ้นต่ำ

4. ค่า ESL และ ESR ต่ำ

5. กระแสพัลส์สูง

ด้วยการใช้โครงสร้างภายในที่มีค่าความเหนี่ยวนำต่ำ ตัวเรือนเรซินขึ้นรูปที่เป็นตัวเลือก และขั้วต่อที่ปรับแต่งได้ ซีรีส์ SMJ-P จึงได้รับการออกแบบมาสำหรับ IGBT แบบสวิตช์เร็ว และสามารถใช้เป็นตัวลดแรงดันกระชากและตัวกรองอินพุตความถี่สูงกระแสสูงได้

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

ด้วยประสบการณ์การบริหารจัดการโครงการที่มากมายและรูปแบบการสนับสนุนแบบตัวต่อตัว ทำให้เราให้ความสำคัญกับการสื่อสารทางธุรกิจและการเข้าใจความคาดหวังของคุณสำหรับผลิตภัณฑ์ยอดนิยมอย่างตัวเก็บประจุแบบขั้วสี่ขา - ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโลหะ IGBT Snubber – CRE ผลิตภัณฑ์นี้จะจัดจำหน่ายไปทั่วโลก เช่น ลียง มาดริด ลักเซมเบิร์ก เพื่อให้ลูกค้ามั่นใจในเรามากขึ้นและได้รับบริการที่สะดวกสบายที่สุด เราจึงดำเนินธุรกิจด้วยความซื่อสัตย์ จริงใจ และคุณภาพที่ดีที่สุด เราเชื่อมั่นว่าการช่วยเหลือลูกค้าให้ดำเนินธุรกิจได้ประสบความสำเร็จมากขึ้นเป็นความยินดีของเรา และคำแนะนำและบริการที่มีประสบการณ์ของเราจะนำไปสู่ทางเลือกที่เหมาะสมยิ่งขึ้นสำหรับลูกค้า

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบกำหนดเอง

โซลูชันตัวเก็บประจุฟิล์มแบบแห้ง

ตัวเก็บประจุบัฟเฟอร์พลังงาน

ตัวเก็บประจุแบบขั้วต่อสี่ขา

ตัวเก็บประจุฟิล์มราคาดี

ตัวเก็บประจุฟิล์มคุณภาพสูง

ตัวเก็บประจุฟิล์มกระแสริปเปิลสูง

โซลูชันตัวเก็บประจุฟิล์มโลหะ

คอนเดนเซอร์ MKP