• บีบีบี

ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากระแสตรงจากโรงงานอายุ 18 ปี - ตัวเก็บประจุสนับเบอร์แบบแกน GTO – CRE

คำอธิบายโดยย่อ:


รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ข้อเสนอแนะ (2)

พันธกิจของเราคือการก้าวขึ้นเป็นผู้ให้บริการนวัตกรรมด้านอุปกรณ์ดิจิทัลและการสื่อสารไฮเทค โดยนำเสนอการออกแบบที่เพิ่มมูลค่า การผลิตระดับโลก และความสามารถในการซ่อมบำรุงสำหรับลูกค้าตัวเก็บประจุฟิล์มสนับเบอร์แกน , ตัวเก็บประจุสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าพลังงานลม , ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากระแสสลับแบบอิเล็กทรอนิกส์กำลังเราเชื่อว่าคุณจะพึงพอใจกับราคาที่สมเหตุสมผล ผลิตภัณฑ์คุณภาพสูง และการจัดส่งที่รวดเร็วของเรา เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าคุณจะให้โอกาสเราได้บริการและเป็นพันธมิตรที่ดีที่สุดของคุณ!
ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากระแสตรง (Dc Power Capacitor) จากโรงงานผลิต อายุ 18 ปี - ตัวเก็บประจุแบบแกน GTO สำหรับลดแรงกระแทก – รายละเอียดจาก CRE:

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิการทำงาน อุณหภูมิใช้งานสูงสุด (ด้านบน): +85℃ อุณหภูมิหมวดหมู่บน: +85℃ อุณหภูมิหมวดหมู่ล่าง: -40℃
ช่วงความจุ 0.1μF~5.6μF
แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด

630V.DC~2000V.DC

แคป.โทล

±5%(J) ;±10%(K)

ทนต่อแรงดันไฟฟ้า

1.5Un DC/10S

ปัจจัยการกระจายตัว

tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

ความต้านทานฉนวน

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ที่ 20℃ 100V.DC 60S)

C>0.33μF RS*C≥5000S (ที่ 20℃ 100V.DC 60S)

ทนทานต่อกระแสไฟฟ้า
อายุขัยเฉลี่ย

100000h(Un; Θhotspot≤85°C)

มาตรฐานอ้างอิง

IEC 61071 ;IEC 61881;GB/T17702

แอปพลิเคชัน

1. ตัวลดแรงกระแทก IGBT

2. ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังเมื่อต้องรับมือกับแรงดันไฟสูงสุดและกระแสไฟสูงสุดเพื่อป้องกันความเสียหาย

ภาพร่างโครงร่าง

 

1

 

 

 

 

ตัวเก็บประจุแบบแกน SMJ-TE
แรงดันไฟฟ้า Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
ความจุ (uF) ล (มม.±1) ที (มม.±1) H (มม.±1) φd (มม.) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22 32 9.5 17.5 0.8 16 23 300 66 5.3
0.33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0.47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0.68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36.5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40.5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41.5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46.5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2

 

แรงดันไฟฟ้า Un 1000V.DC; Urms 500Vac; Us 1500V
ความจุ (uF) ล (มม.±1) ที (มม.±1) H (มม.±1) φd (มม.) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15 32 10 17.5 0.8 20 20 1100 165 5.5
0.22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0.33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0.47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0.47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0.68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0.68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35.5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40.5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42.5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40.5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16.5
3.5 57 30.5 43 1.2 3.2 35 450 1575 17.2
4.7 57 35 50.5 1.2 3 36 420 พ.ศ. 2517 17.8
5.6 57 38.5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2

 

แรงดันไฟฟ้า Un 1200V.DC; Urms 550Vac; Us 1800V
ความจุ (uF) ล (มม.±1) ที (มม.±1) H (มม.±1) φd (มม.) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 8.5 16 0.8 20 20 1300 130 6
0.15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0.22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0.33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0.47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0.47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0.68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0.68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22.5 30.5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 14.5
2.2 57 27.5 35.5 1.2 4.2 35 700 1540 14.5
3 57 29 44.5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30.5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17.8
4.7 57 38 53.5 1.2 3 38 420 พ.ศ. 2517 18.2

 

แรงดันไฟฟ้า Un 1700V.DC; Urms 600Vac; Us 2550V
ความจุ (uF) ล (มม.±1) ที (มม.±1) H (มม.±1) φd (มม.) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 9.5 17.5 0.8 18 25 1300 130 7.5
0.15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0.22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0.33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0.33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0.47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0.68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40.5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14.5
3 57 31 46.5 1.2 4 30 560 1680 17.2
3.3 57 33 48.5 1.2 3.2 29 500 1650 17.6
4 57 37 52.5 1.2 3 28 450 1800 18.2

 

แรงดันไฟฟ้า Un 2000V.DC; Urms 700Vac; Us 3000V
ความจุ (uF) ล (มม.±1) ที (มม.±1) H (มม.±1) φd (มม.) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068 32 9 17 0.8 25 23 1500 102 6.9
0.1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0.1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 145 8
0.22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0.22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0.33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412.5 9.5
0.33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0.47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0.68 44 24 36.5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0.68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 14.5
2 57 33 48.5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50.5 1.2 4 30 700 1540 17.8

 

แรงดันไฟฟ้า Un 3000V.DC; Urms 750Vac; Us 4500V
ความจุ (uF) ล (มม.±1) ที (มม.±1) H (มม.±1) φd (มม.) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000 94 8.5
0.068 44 17 25 1 20 20 1800 122.4 10.5
0.1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0.15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202.5 13.8
0.22 44 29 41.5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5

ภาพรายละเอียดสินค้า:

ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากระแสตรงจากโรงงานอายุ 18 ปี - ตัวเก็บประจุลดแรงกระแทกแบบแกน GTO – ภาพรายละเอียดจาก CRE

ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากระแสตรงจากโรงงานอายุ 18 ปี - ตัวเก็บประจุลดแรงกระแทกแบบแกน GTO – ภาพรายละเอียดจาก CRE

ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากระแสตรงจากโรงงานอายุ 18 ปี - ตัวเก็บประจุลดแรงกระแทกแบบแกน GTO – ภาพรายละเอียดจาก CRE


คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

ด้วยแนวทางการทำงานที่เป็นเลิศ น่าเชื่อถือ ชื่อเสียงที่ดี และบริการลูกค้าที่ยอดเยี่ยม ผลิตภัณฑ์และโซลูชันต่างๆ ที่ผลิตโดยบริษัทของเราได้ถูกส่งออกไปยังหลายประเทศและภูมิภาคมาเป็นเวลา 18 ปีแล้ว ผลิตภัณฑ์ของเราจัดจำหน่ายไปทั่วโลก เช่น เอธิโอเปีย มาซิโดเนีย อัลบาเนีย บริษัทของเรามุ่งเน้นการพัฒนาตลาดต่างประเทศมาโดยตลอด เรามีลูกค้าจำนวนมากในรัสเซีย ประเทศในยุโรป สหรัฐอเมริกา ประเทศในตะวันออกกลาง และประเทศในแอฟริกา เรายึดมั่นเสมอว่าคุณภาพคือรากฐาน และบริการคือการรับประกัน เพื่อตอบสนองความต้องการของลูกค้าทุกท่าน
  • บริษัทดังกล่าวมีเงินทุนที่แข็งแกร่งและศักยภาพในการแข่งขันสูง ผลิตภัณฑ์มีคุณภาพเพียงพอและน่าเชื่อถือ ดังนั้นเราจึงไม่มีข้อกังวลใดๆ ในการร่วมมือกับพวกเขา 5 ดาว โดย จูดิธ จากประเทศกานา - 12 กรกฎาคม 2561 เวลา 12:19
    ผู้จัดการฝ่ายบัญชีได้แนะนำผลิตภัณฑ์อย่างละเอียด ทำให้เราเข้าใจผลิตภัณฑ์อย่างครอบคลุม และในที่สุดเราก็ตัดสินใจร่วมมือกัน 5 ดาว โดย เฮดดา จากจอร์แดน - 2 ธันวาคม 2017 เวลา 14:11

    ส่งข้อความของคุณมาถึงเรา:

    เขียนข้อความของคุณที่นี่แล้วส่งมาให้เรา

    ส่งข้อความของคุณมาถึงเรา: