ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากระแสตรงจากโรงงานอายุ 18 ปี - ตัวเก็บประจุสนับเบอร์แบบแกน GTO – CRE

ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากระแสตรงจากโรงงานอายุ 18 ปี - ตัวเก็บประจุลดแรงกระแทกแบบแกน GTO – ภาพประกอบจาก CRE

คำอธิบายโดยย่อ:

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ข้อเสนอแนะ (2)

ด้วยสิ่งอำนวยความสะดวกที่ครบครันและการจัดการคุณภาพที่เป็นเลิศในทุกขั้นตอนการผลิต ทำให้เราสามารถรับประกันความพึงพอใจสูงสุดแก่ลูกค้าได้โซลูชันตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์กำลัง , ตัวเก็บประจุ EV , ตัวเก็บประจุในการใช้งานด้านยานยนต์เราหวังว่าจะได้รับการสอบถามจากท่านในเร็ววัน และหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะมีโอกาสได้ร่วมงานกับท่านในอนาคต ยินดีต้อนรับเข้าชมข้อมูลเกี่ยวกับองค์กรของเรา

ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากระแสตรง (Dc Power Capacitor) จากโรงงานผลิต อายุ 18 ปี - ตัวเก็บประจุแบบแกน GTO สำหรับลดแรงกระแทก – รายละเอียดจาก CRE:

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิการทำงาน	อุณหภูมิใช้งานสูงสุด (ด้านบน): +85℃ อุณหภูมิในหมวดหมู่บน: +85℃ อุณหภูมิในหมวดหมู่ล่าง: -40℃
ช่วงความจุ	0.1μF～5.6μF
แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด	630V.DC～2000V.DC
แคป.โทล	±5%(J) ;±10%(K)
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า	1.5Un DC/10S
ปัจจัยการกระจายตัว	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ความต้านทานฉนวน	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ที่ 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (ที่ 20℃ 100V.DC 60S)
ทนทานต่อกระแสไฟฟ้า
อายุขัยเฉลี่ย	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
มาตรฐานอ้างอิง	IEC 61071 ;IEC 61881;GB/T17702

แอปพลิเคชัน

1. ตัวลดแรงกระแทก IGBT

2. ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังเมื่อต้องรับมือกับแรงดันไฟสูงสุดและกระแสไฟสูงสุดเพื่อป้องกันความเสียหาย

ภาพร่างโครงร่าง

ตัวเก็บประจุแบบแกน SMJ-TE
แรงดันไฟฟ้า		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V

ความจุ (uF)	ล (มม.±1)	ที (มม.±1)	H (มม.±1)	φd (มม.)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2

แรงดันไฟฟ้า			Un 1000V.DC; Urms 500Vac; Us 1500V
ความจุ (uF)	ล (มม.±1)	ที (มม.±1)	H (มม.±1)	φd (มม.)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	พ.ศ. 2517	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2

แรงดันไฟฟ้า			Un 1200V.DC; Urms 550Vac; Us 1800V
ความจุ (uF)	ล (มม.±1)	ที (มม.±1)	H (มม.±1)	φd (มม.)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	พ.ศ. 2517	18.2

แรงดันไฟฟ้า			Un 1700V.DC; Urms 600Vac; Us 2550V
ความจุ (uF)	ล (มม.±1)	ที (มม.±1)	H (มม.±1)	φd (มม.)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800	18.2

แรงดันไฟฟ้า			Un 2000V.DC; Urms 700Vac; Us 3000V
ความจุ (uF)	ล (มม.±1)	ที (มม.±1)	H (มม.±1)	φd (มม.)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540	17.8

แรงดันไฟฟ้า			Un 3000V.DC; Urms 750Vac; Us 4500V
ความจุ (uF)	ล (มม.±1)	ที (มม.±1)	H (มม.±1)	φd (มม.)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

การสร้างมูลค่าเพิ่มให้กับลูกค้าคือปรัชญาองค์กรของเรา การเติบโตของผู้ซื้อคือเป้าหมายการทำงานของเราตลอด 18 ปีที่ผ่านมา โรงงานผลิตตัวเก็บประจุไฟฟ้ากระแสตรง - ตัวเก็บประจุแบบแกน GTO snubber – CRE ผลิตภัณฑ์ของเราส่งออกไปทั่วโลก เช่น วอชิงตัน ปานามา นิวยอร์ก ผลิตภัณฑ์ของเราได้รับชื่อเสียงที่ดีเยี่ยมในทุกประเทศที่เกี่ยวข้อง นับตั้งแต่ก่อตั้งบริษัท เรายืนยันในนวัตกรรมกระบวนการผลิตของเราควบคู่ไปกับวิธีการบริหารจัดการที่ทันสมัยที่สุด ดึงดูดผู้มีความสามารถจำนวนมากในอุตสาหกรรมนี้ เราถือว่าคุณภาพของผลิตภัณฑ์เป็นคุณลักษณะที่สำคัญที่สุดของเรา

ตัวเก็บประจุ AC สำหรับวงจรกรองแบบพาสซีฟที่ปรับแต่งแล้ว

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบดีไซน์กะทัดรัด

ตัวเก็บประจุบัส DC