โรงงานปรับแต่งตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์กำลังสูง - ตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์เรโซแนนซ์กระแสพัลส์สูง RMJ-PC - CRE

ตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์กำลังสูงที่ปรับแต่งจากโรงงาน - ตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์เรโซแนนซ์เรโซแนนซ์กระแสพัลส์สูง RMJ-PC - CRE ภาพเด่น

คำอธิบายสั้น:

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ผลตอบรับ (2)

ขณะนี้เรามีผู้เชี่ยวชาญและทีมงานที่มีประสิทธิภาพเพื่อให้บริการที่เป็นเลิศแก่ผู้ซื้อของเราเราปฏิบัติตามหลักการที่มุ่งเน้นลูกค้าเป็นหลักและเน้นรายละเอียดอยู่เสมอตัวเก็บประจุแบบฟิล์มสั่งทำพิเศษ , ผู้ผลิตตัวเก็บประจุ , ตัวเก็บประจุไฟฟ้าอิเล็กทรอนิกส์เพื่อให้บรรลุข้อได้เปรียบซึ่งกันและกัน บริษัทของเรากำลังส่งเสริมกลยุทธ์โลกาภิวัตน์อย่างกว้างขวางในแง่ของการสื่อสารกับลูกค้าต่างประเทศ การจัดส่งที่รวดเร็ว คุณภาพดีที่สุด และความร่วมมือระยะยาว

โรงงานปรับแต่งตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์กำลังสูง - ตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์เรโซแนนซ์กระแสพัลส์สูง RMJ-PC - CRE รายละเอียด:

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน	Max. อุณหภูมิในการทำงาน., ด้านบน, สูงสุด: +105 ℃อุณหภูมิหมวดหมู่ด้านบน: +85 ℃ อุณหภูมิหมวดหมู่ต่ำกว่า: -40 ℃
ช่วงความจุ	1~8μF
แรงดันไฟฟ้าที่ได้รับการจัดอันดับ	1200V.DC~2000V.DC
แคป.ตอล	±5%(เจ) ;
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า	1.5Un กระแสตรง/60S
ปัจจัยการกระจาย	tgδ≤0.001 f=1KHz
ความต้านทานของฉนวน	RS*C≥5000S (ที่ 20 ℃ 100V.DC 60S)
อายุขัย	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
มาตรฐานอ้างอิง	IEC61071;IEC 60110

คุณสมบัติ

1. ความเสถียรของความถี่ ESR

2. ความเสถียรของอุณหภูมิและแรงดันไฟฟ้า: ความจุไฟฟ้า (และพิกัดอื่นๆ ทั้งหมด) สามารถเปลี่ยนแปลงได้ตามระดับแรงดันไฟฟ้าและอุณหภูมิอินพุต

RMJ-พีซี

แอปพลิเคชัน

1. ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังในวงจรเรโซแนนซ์แบบอนุกรม / ขนาน

2. การเชื่อม อุปกรณ์ไฟฟ้า อุปกรณ์ทางการแพทย์ อุปกรณ์ทำความร้อนเหนี่ยวนำโอกาสสะท้อน

การวาดภาพโครงร่าง

แรงดันไฟฟ้า	แรงดันไฟ 1200V.DC Urms 500V.AC
Cn (ไมโครเอฟ)	φD (มม.)	อืม)	ESL (nH))	dv/dt (V/μS)	ไอพี (KA)	อิมเมจ (40 ℃ @ 100KHz	ESR 100kHz (mΩ)
2	63	50	20	500	1.0	30	3.2
3	63	50	22	500	1.5	35	3
4	63	50	22	400	1.6	45	2.8
5	63	50	23	400	2.0	50	2.5
6	76	50	25	350	2.1	60	2
7	76	50	25	300	2.1	65	1.5

แรงดันไฟฟ้า	แรงดันไฟ 1600V.DC Urms 600V.AC
Cn (ไมโครเอฟ)	φD (มม.)	อืม)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	ไอพี (KA)	Irms (A) สูงสุด	ESR (mΩ)
2	63	50	20	700	1.4	30	3.2
3	63	50	22	600	1.8	35	3
4	63	50	22	550	2.2	45	2.8
5	76	50	23	500	2.5	55	2.3
6	76	50	25	450	2.7	65	2.2

แรงดันไฟฟ้า	แรงดันไฟ 2000V.DC Urms 700V.AC
Cn (ไมโครเอฟ)	φD (มม.)	อืม)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	ไอพี (KA)	Irms (A) สูงสุด	ESR (mΩ)
2	63	50	20	800	1.6	50	3
3	63	50	22	700	2.1	55	2.8
4	76	50	22	600	2.4	65	2.5

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

นี่เป็นวิธีที่ดีในการปรับปรุงสินค้าและบริการของเราให้ดียิ่งขึ้นภารกิจของเราคือการซื้อสินค้าที่สร้างสรรค์ให้กับผู้ซื้อที่มีการเผชิญหน้าที่ดีมากสำหรับตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์กำลังสูงที่ปรับแต่งจากโรงงาน - ตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์เรโซแนนซ์กระแสพัลส์สูง RMJ-PC - CRE ผลิตภัณฑ์จะจัดหาให้กับทั่วทุกมุมโลก เช่น: บาร์เซโลนา, กรีซ คอโมโรส หากคุณสนใจในผลิตภัณฑ์และโซลูชันใดๆ ของเรา หรือต้องการปรึกษาเกี่ยวกับคำสั่งซื้อที่กำหนดเอง โปรดอย่าลังเลที่จะติดต่อเราเรากำลังรอคอยที่จะสร้างความสัมพันธ์ทางธุรกิจที่ประสบความสำเร็จกับลูกค้าใหม่ทั่วโลกในอนาคตอันใกล้นี้

ตัวเก็บประจุฟิล์ม Ac