ผลิตภัณฑ์ใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มดีไซน์กะทัดรัด - ไดอิเล็กทริกที่มีการสูญเสียต่ำของฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – CRE

สินค้าใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ดีไซน์กะทัดรัด - ไดอิเล็กทริกที่มีการสูญเสียต่ำของฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – ภาพประกอบจาก CRE

คำอธิบายโดยย่อ:

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ข้อเสนอแนะ (2)

การสร้างความพึงพอใจให้กับลูกค้าคือเป้าหมายสูงสุดของบริษัทเรา เราจะทุ่มเทอย่างเต็มที่เพื่อผลิตสินค้าใหม่และมีคุณภาพสูงสุด ตอบสนองความต้องการพิเศษของคุณ และให้บริการก่อนการขาย ระหว่างการขาย และหลังการขายแก่คุณตัวเก็บประจุเก็บพลังงาน , ตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์ฮาร์มอนิก , ตัวเก็บประจุไฟฟ้าสำหรับวงจร DCยินดีต้อนรับทุกคำถามของคุณ เราพร้อมให้บริการที่ดีที่สุดด้วยใจจริง

สินค้าใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มดีไซน์กะทัดรัด - ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำ ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – รายละเอียดจาก CRE:

ซีรี่ส์ SMJ-P

ช่วงแรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 1000 VDC ถึง 2000 VDC
ช่วงค่าความจุ: 0.1 ไมโครฟารัด ถึง 3.0 ไมโครฟารัด
ระยะห่างระหว่างรูยึด: 22.5 มม. ถึง 48 มม.
โครงสร้าง: ฉนวนโพลีโพรพีลีนเคลือบโลหะ การเชื่อมต่อแบบอนุกรมภายใน
การใช้งาน: การป้องกัน IGBT, วงจรถังเรโซแนนซ์

ตัวเก็บประจุแบบแห้งชนิดซ่อมแซมตัวเองได้ (Snubber capacitor) ผลิตขึ้นโดยใช้ฟิล์ม PP เคลือบโลหะที่มีรูปทรงพิเศษแบบตัดเป็นคลื่น ซึ่งช่วยให้มีค่าความเหนี่ยวนำต่ำ ความต้านทานต่อการแตกหักสูง และความน่าเชื่อถือสูง ไม่จำเป็นต้องตัดการเชื่อมต่อเมื่อแรงดันเกิน ด้านบนของตัวเก็บประจุปิดผนึกด้วยอีพ็อกซี่ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมและไม่ติดไฟ การออกแบบพิเศษนี้ช่วยให้มีค่าความเหนี่ยวนำต่ำมาก

IMG_0397.HEIC

ตารางข้อมูลจำเพาะ

แรงดันไฟฟ้า	แรงดันไฟฟ้า 700V.DC, แรงดันไฟฟ้า 400VAC; แรงดันไฟฟ้า 1050V
	ขนาด (มม.)
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

แรงดันไฟฟ้า	Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ขนาด (มม.)
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	พ.ศ. 2517	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

แรงดันไฟฟ้า	Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	พ.ศ. 2517	32

แรงดันไฟฟ้า	แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง 1700V, แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 575V; แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 2250V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

แรงดันไฟฟ้า	Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us 3000V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

แรงดันไฟฟ้า	Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

เป็นความรับผิดชอบของเราที่จะตอบสนองความต้องการของคุณและให้บริการคุณอย่างมีประสิทธิภาพ ความพึงพอใจของคุณคือรางวัลที่ดีที่สุดของเรา เราหวังเป็นอย่างยิ่งว่าจะได้ต้อนรับคุณเพื่อการเติบโตไปด้วยกัน สำหรับผลิตภัณฑ์ใหม่ล่าสุด ตัวเก็บประจุฟิล์มขนาดกะทัดรัด – ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์ฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำสำหรับใช้งานกับ IGBT – CRE ผลิตภัณฑ์นี้จะจัดจำหน่ายไปทั่วโลก เช่น ลาสเวกัส บันดุง บาร์เบโดส เพื่อให้ได้ประโยชน์ร่วมกัน บริษัทของเรากำลังเร่งกลยุทธ์การโลกาภิวัตน์อย่างกว้างขวางในด้านการสื่อสารกับลูกค้าต่างประเทศ การจัดส่งที่รวดเร็ว คุณภาพที่ดีที่สุด และความร่วมมือระยะยาว บริษัทของเรายึดมั่นในจิตวิญญาณของ "นวัตกรรม ความสามัชย์ การทำงานเป็นทีมและการแบ่งปัน การทดลอง ความก้าวหน้าอย่างเป็นรูปธรรม" โปรดให้โอกาสเรา และเราจะพิสูจน์ความสามารถของเรา ด้วยความช่วยเหลือของคุณ เราเชื่อว่าเราสามารถสร้างอนาคตที่สดใสร่วมกันได้

ตัวเก็บประจุในการใช้งานด้านยานยนต์

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบดีไซน์กะทัดรัด

ตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์แบบสั่งทำพิเศษ

ตัวเก็บประจุแบบกรองกระแสตรง

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม

ตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์ฮาร์มอนิก

ตัวเก็บประจุฟิล์มที่มีการสูญเสียความจุต่ำ

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพีลีน

ตัวเก็บประจุแบบแห้งที่ซ่อมแซมตัวเองได้

ตัวเก็บประจุสนับเบอร์

แม้ว่าเราจะเป็นบริษัทขนาดเล็ก แต่เราก็ได้รับความเคารพเช่นกัน คุณภาพที่น่าเชื่อถือ บริการที่จริงใจ และเครดิตที่ดี เรารู้สึกเป็นเกียรติอย่างยิ่งที่ได้ร่วมงานกับคุณ!