ผลิตภัณฑ์ใหม่ยอดนิยม ตัวเก็บประจุฟิล์มดีไซน์กะทัดรัด - อิเล็กทริกการสูญเสียต่ำของตัวเก็บประจุ Snubber ฟิล์มโพลีโพรพีลีนสำหรับการใช้งาน IGBT - CRE

ผลิตภัณฑ์ใหม่ยอดนิยม ตัวเก็บประจุฟิล์มดีไซน์กะทัดรัด - อิเล็กทริกการสูญเสียต่ำของตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุ Snubber สำหรับการใช้งาน IGBT - ภาพเด่น CRE

คำอธิบายสั้น:

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ผลตอบรับ (2)

เราคิดว่าสิ่งที่ลูกค้าคิด ความเร่งด่วนของความเร่งด่วนในการดำเนินการเพื่อประโยชน์ของตำแหน่งของลูกค้าในหลักการ ทำให้ได้คุณภาพที่ดีขึ้น ลดต้นทุนการประมวลผล ราคาสมเหตุสมผลมากขึ้น ได้รับการสนับสนุนและยืนยันจากลูกค้าใหม่และลูกค้าเก่าตัวเก็บประจุแบบฟิล์มสำหรับเครื่องตรวจจับเอ็กซ์เรย์ , ตัวเก็บประจุลิงค์ Dc ไฟฟ้าแรงสูง , ตัวเก็บประจุอินเวอร์เตอร์ยินดีต้อนรับการเยี่ยมชมของคุณและสอบถามข้อมูลใด ๆ ของคุณหวังเป็นอย่างยิ่งว่าเราจะมีโอกาสร่วมมือกับคุณและเราสามารถสร้างความสัมพันธ์ทางธุรกิจที่ยาวนานกับคุณได้

ผลิตภัณฑ์ใหม่ยอดนิยม ตัวเก็บประจุฟิล์มดีไซน์กะทัดรัด - อิเล็กทริกการสูญเสียต่ำของตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุ Snubber สำหรับการใช้งาน IGBT - รายละเอียด CRE:

ซีรี่ส์ SMJ-P

ช่วงแรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 1000 VDC ถึง 2000 VDC
ช่วงความจุ: 0.1 uf ถึง 3.0 uf
ระยะพิทช์การติดตั้ง : 22.5 มม. ถึง 48 มม
การก่อสร้าง: การเชื่อมต่อชุดภายในแบบโพรพิลีนไดอิเล็กทริก Metallized
การใช้งาน: การป้องกัน IGBT, วงจรถังเรโซแนนซ์

องค์ประกอบตัวเก็บประจุแบบ Snubber ชนิดแห้งที่ซ่อมแซมตัวเองได้ผลิตขึ้นโดยใช้ฟิล์ม PP เคลือบโลหะที่ตัดด้วยคลื่นซึ่งทำโปรไฟล์เป็นพิเศษ ซึ่งรับประกันการเหนี่ยวนำในตัวเองต่ำ ความต้านทานการแตกร้าวสูง และความน่าเชื่อถือสูงไม่ถือว่าจำเป็นต้องตัดการเชื่อมต่อแรงดันเกินด้านบนของตัวเก็บประจุถูกปิดผนึกด้วยอีพ็อกซี่ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมที่ดับไฟได้เองการออกแบบพิเศษช่วยให้มั่นใจว่ามีการเหนี่ยวนำตัวเองต่ำมาก

IMG_0397.HEIC

ตารางข้อมูลจำเพาะ

แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ขนาด (มม.)
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms ที่ 40 ℃ @ 100 KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1,000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1,050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1,050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

แรงดันไฟฟ้า	ไม่เกิน 1,000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ขนาด (มม.)
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1,000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1,050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

แรงดันไฟฟ้า	ไม่ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1,000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

แรงดันไฟฟ้า	ไม่เกิน 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V
Cn(ไมโครเอฟ)	ลิตร(±1)	ที(±1)	ชม(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	ไออาร์มส์
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1,020	28

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

สถานะอันดับเครดิตที่ยอดเยี่ยมและมีความรับผิดชอบคือหลักการของเรา ซึ่งจะช่วยให้เราอยู่ในตำแหน่งสูงสุดยึดมั่นในหลักการของ "คุณภาพเริ่มต้นผู้ซื้อสูงสุด" สำหรับผลิตภัณฑ์ใหม่สุดฮอตตัวเก็บประจุฟิล์มดีไซน์กะทัดรัด - อิเล็กทริกการสูญเสียต่ำของตัวเก็บประจุ Snubber ฟิล์มโพลีโพรพีลีนสำหรับการใช้งาน IGBT - CRE ผลิตภัณฑ์จะจัดหาไปทั่วโลกเช่น: อิสตันบูล, รวันดา, กรีก, ด้วยคุณภาพที่เหนือกว่าและบริการหลังการขายที่ยอดเยี่ยม ผลิตภัณฑ์ของเราจึงขายดีในอเมริกา ยุโรป ตะวันออกกลาง และแอฟริกาใต้นอกจากนี้เรายังเป็นโรงงาน OEM ที่ได้รับการแต่งตั้งสำหรับแบรนด์ผลิตภัณฑ์ที่มีชื่อเสียงระดับโลกหลายแห่งยินดีต้อนรับที่จะติดต่อเราเพื่อการเจรจาและความร่วมมือเพิ่มเติม

ตัวเก็บประจุในการใช้งานด้านยานยนต์

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มดีไซน์กะทัดรัด

ตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์สั่งทำพิเศษ

ตัวเก็บประจุกรองกระแสตรง

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม

ตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์ฮาร์มอนิก

ตัวเก็บประจุ Fim สูญเสียความจุต่ำ

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพีลีน

ตัวเก็บประจุแบบแห้งที่รักษาตัวเองได้

ตัวเก็บประจุ Snubber