E-mail: info@cre-elec.com
English
  • บีบีบี

ผลิตภัณฑ์ใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มดีไซน์กะทัดรัด - ไดอิเล็กทริกที่มีการสูญเสียต่ำของฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – CRE

สินค้าใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ดีไซน์กะทัดรัด - ไดอิเล็กทริกที่มีการสูญเสียต่ำของฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – ภาพประกอบจาก CRE
  • ผลิตภัณฑ์ใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มดีไซน์กะทัดรัด - ไดอิเล็กทริกที่มีการสูญเสียต่ำของฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – CRE
  • ผลิตภัณฑ์ใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มดีไซน์กะทัดรัด - ไดอิเล็กทริกที่มีการสูญเสียต่ำของฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – CRE
  • ผลิตภัณฑ์ใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มดีไซน์กะทัดรัด - ไดอิเล็กทริกที่มีการสูญเสียต่ำของฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – CRE
  • ผลิตภัณฑ์ใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มดีไซน์กะทัดรัด - ไดอิเล็กทริกที่มีการสูญเสียต่ำของฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – CRE

คำอธิบายโดยย่อ:


ดาวน์โหลดเป็นไฟล์ PDF

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ข้อเสนอแนะ (2)

เพื่อพัฒนาเทคนิคการบริหารจัดการอย่างต่อเนื่อง โดยยึดมั่นในหลักการที่ว่า "ความจริงใจ ความซื่อสัตย์ และคุณภาพสูง คือรากฐานของการพัฒนาบริษัท" เราจึงได้ศึกษาและนำเอาสาระสำคัญของสินค้าที่คล้ายคลึงกันจากทั่วโลกมาประยุกต์ใช้ และสร้างสรรค์สินค้าใหม่ๆ อย่างต่อเนื่องเพื่อตอบสนองความต้องการของลูกค้าตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์แบบสั่งทำพิเศษ , ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มสำหรับอินเวอร์เตอร์ไฟฟ้า , ตัวเก็บประจุ DC Link แรงดันสูงปัจจุบันเรามีโรงงานผลิตที่มีประสบการณ์และพนักงานมากกว่า 100 คน ดังนั้นเราจึงสามารถรับประกันระยะเวลานำส่งที่สั้นและคุณภาพที่สูงได้
สินค้าใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มดีไซน์กะทัดรัด - ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำ ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – รายละเอียดจาก CRE:

ซีรี่ส์ SMJ-P

ช่วงแรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 1000 VDC ถึง 2000 VDC
ช่วงค่าความจุ: 0.1 ไมโครฟารัด ถึง 3.0 ไมโครฟารัด
ระยะห่างระหว่างรูยึด: 22.5 มม. ถึง 48 มม.
โครงสร้าง: ฉนวนโพลีโพรพีลีนเคลือบโลหะ การเชื่อมต่อแบบอนุกรมภายใน
การใช้งาน: การป้องกัน IGBT, วงจรถังเรโซแนนซ์

ตัวเก็บประจุแบบแห้งชนิดซ่อมแซมตัวเองได้ (Snubber capacitor) ผลิตขึ้นโดยใช้ฟิล์ม PP เคลือบโลหะที่มีรูปทรงพิเศษและตัดเป็นคลื่น ซึ่งช่วยให้มีค่าความเหนี่ยวนำต่ำ ความต้านทานต่อการแตกหักสูง และความน่าเชื่อถือสูง ไม่จำเป็นต้องตัดการเชื่อมต่อเมื่อแรงดันเกิน ด้านบนของตัวเก็บประจุปิดผนึกด้วยอีพ็อกซี่ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมและไม่ติดไฟ การออกแบบพิเศษนี้ช่วยให้มีค่าความเหนี่ยวนำต่ำมาก

IMG_0397.HEIC

ตารางข้อมูลจำเพาะ

แรงดันไฟฟ้า แรงดันไฟฟ้า 700V.DC, แรงดันไฟฟ้า 400VAC; แรงดันไฟฟ้า 1050V
ขนาด (มม.)
Cn(μF) ล(±1) ที(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) อิปเค(เอ) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
แรงดันไฟฟ้า Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
ขนาด (มม.)
Cn(μF) ล(±1) ที(±1) H(±1) ESR (มิลลิโอห์ม) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) เออร์มส์
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 พ.ศ. 2517 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
แรงดันไฟฟ้า Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF) ล(±1) ที(±1) H(±1) ESR (มิลลิโอห์ม) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) เออร์มส์
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 พ.ศ. 2517 32
แรงดันไฟฟ้า แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง 1700V, แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 575V; แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 2250V
Cn(μF) ล(±1) ที(±1) H(±1) ESR (มิลลิโอห์ม) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) เออร์มส์
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
แรงดันไฟฟ้า Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us 3000V
Cn(μF) ล(±1) ที(±1) H(±1) ESR (มิลลิโอห์ม) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) เออร์มส์
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
แรงดันไฟฟ้า Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
Cn(μF) ล(±1) ที(±1) H(±1) ESR (มิลลิโอห์ม) ESL(nH) dv/dt(V/μS) อิปเค(เอ) เออร์มส์
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28
ภาพรายละเอียดสินค้า:

สินค้าใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ดีไซน์กะทัดรัด - ไดอิเล็กทริกต่ำของฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – ภาพรายละเอียดจาก CRE

สินค้าใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ดีไซน์กะทัดรัด - ไดอิเล็กทริกต่ำของฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – ภาพรายละเอียดจาก CRE

สินค้าใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ดีไซน์กะทัดรัด - ไดอิเล็กทริกต่ำของฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – ภาพรายละเอียดจาก CRE

สินค้าใหม่มาแรง ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ดีไซน์กะทัดรัด - ไดอิเล็กทริกต่ำของฟิล์มโพลีโพรพีลีน ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์สำหรับใช้งานกับ IGBT – ภาพรายละเอียดจาก CRE

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:
เป้าหมายของเราคือการส่งมอบสินค้าคุณภาพสูงในราคาที่แข่งขันได้ และบริการชั้นเยี่ยมแก่ลูกค้าทั่วโลก เราได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO9001, CE และ GS และปฏิบัติตามข้อกำหนดด้านคุณภาพอย่างเคร่งครัดสำหรับสินค้าใหม่ล่าสุดอย่างตัวเก็บประจุฟิล์มขนาดกะทัดรัด – ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์ฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำสำหรับการใช้งาน IGBT – CRE สินค้าของเราจัดจำหน่ายไปทั่วโลก เช่น อิรัก โมนาโก เม็กซิโก เราจัดจำหน่ายเฉพาะสินค้าคุณภาพสูง และเราเชื่อว่านี่เป็นวิธีเดียวที่จะทำให้ธุรกิจของเราดำเนินต่อไปได้ เรายังสามารถให้บริการแบบกำหนดเองได้ เช่น การใส่โลโก้ ขนาดที่กำหนดเอง หรือสินค้าที่กำหนดเองอื่นๆ ตามความต้องการของลูกค้า
    • โรงงานแห่งนี้สามารถตอบสนองความต้องการทางเศรษฐกิจและตลาดที่พัฒนาอย่างต่อเนื่อง ทำให้ผลิตภัณฑ์ของพวกเขาได้รับการยอมรับและไว้วางใจอย่างกว้างขวาง และนี่คือเหตุผลที่เราเลือกบริษัทนี้ 5 ดาว โดย หลุยส์ จากสวิตเซอร์แลนด์ - 30 ธันวาคม 2018 เวลา 10:21
    ผู้จำหน่ายยึดมั่นในทฤษฎี "คุณภาพคือพื้นฐาน ความไว้วางใจมาเป็นอันดับแรก และการจัดการคือความก้าวหน้า" เพื่อให้มั่นใจได้ถึงคุณภาพผลิตภัณฑ์ที่เชื่อถือได้และฐานลูกค้าที่มั่นคง 5 ดาว โดย เอมี่ จากฟิลิปปินส์ - 28 พฤศจิกายน 2018 เวลา 16:25

    ส่งข้อความของคุณมาถึงเรา:

    เขียนข้อความของคุณที่นี่แล้วส่งมาให้เรา

    หมวดหมู่สินค้า

    ส่งข้อความของคุณมาถึงเรา: