ราคาต่ำที่สุดสำหรับตัวเก็บประจุสำหรับเตาหลอมเหนี่ยวนำความถี่กลาง - ตัวเก็บประจุ IGBT Snubber คุณภาพสูง ออกแบบมาสำหรับงานกำลังสูง – CRE

ราคาต่ำที่สุดสำหรับตัวเก็บประจุสำหรับเตาเหนี่ยวนำความถี่กลาง - ตัวเก็บประจุ IGBT Snubber คุณภาพสูง ออกแบบมาสำหรับงานกำลังสูง – ภาพประกอบจาก CRE

คำอธิบายโดยย่อ:

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ข้อเสนอแนะ (2)

เสนอราคาที่รวดเร็วและยอดเยี่ยม ที่ปรึกษาผู้เชี่ยวชาญช่วยคุณเลือกผลิตภัณฑ์ที่เหมาะสมกับความต้องการของคุณ ระยะเวลาการผลิตสั้น การควบคุมคุณภาพที่ดีและมีความรับผิดชอบ และบริษัทที่แยกต่างหากสำหรับการชำระเงินและการจัดส่งตัวเก็บประจุ DC-Link สำหรับตัวแปลงความถี่ , ตัวเก็บประจุไฟฟ้าสำหรับวงจร DC , ตัวเก็บประจุเหนี่ยวนำค่า Kvar สูงเรายินดีต้อนรับบริษัทที่สนใจร่วมมือกับเรา และหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะมีโอกาสได้ร่วมงานกับบริษัทต่างๆ ทั่วโลก เพื่อการเติบโตและความสำเร็จร่วมกัน

ราคาต่ำที่สุดสำหรับตัวเก็บประจุสำหรับเตาหลอมเหนี่ยวนำความถี่กลาง - ตัวเก็บประจุ IGBT Snubber คุณภาพสูง ออกแบบมาสำหรับงานกำลังสูง – รายละเอียดจาก CRE:

ข้อมูลทางเทคนิค

ช่วงอุณหภูมิการทำงาน	อุณหภูมิใช้งานสูงสุด: +105℃ อุณหภูมิสูงสุด: +85℃ อุณหภูมิต่ำสุด: -40℃
ช่วงความจุ	0.1μF～5.6μF
แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด	700V.DC～3000V.DC
แคป.โทล	±5%(J);±10%(K)
ทนต่อแรงดันไฟฟ้า	1.5Un DC/10S
ปัจจัยการกระจายตัว	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ความต้านทานฉนวน	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ที่อุณหภูมิ 20℃ แรงดันไฟฟ้า 100V.DC เป็นเวลา 60 วินาที) C＞0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ทนทานต่อกระแสไฟฟ้า	ดูเอกสารข้อมูลจำเพาะ
การหน่วงไฟ	UL94V-0
อายุขัยเฉลี่ย	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
มาตรฐานอ้างอิง	IEC61071;GB/T17702;

ตารางข้อมูลจำเพาะ

แรงดันไฟฟ้า	แรงดันไฟฟ้า 700V.DC, แรงดันไฟฟ้า 400VAC; แรงดันไฟฟ้า 1050V
	ขนาด (มม.)
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
แรงดันไฟฟ้า	Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ขนาด (มม.)
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	พ.ศ. 2517	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
แรงดันไฟฟ้า	Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	พ.ศ. 2517	32
แรงดันไฟฟ้า	แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง 1700V, แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 575V; แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 2250V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
แรงดันไฟฟ้า	Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us 3000V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
แรงดันไฟฟ้า	Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

เรายึดมั่นในเป้าหมาย "เป็นมิตรกับลูกค้า เน้นคุณภาพ บูรณาการ และสร้างสรรค์" "ความจริงและความซื่อสัตย์" คืออุดมคติในการบริหารงานของเรา สำหรับผลิตภัณฑ์ตัวเก็บประจุราคาประหยัดที่สุดสำหรับเตาหลอมเหนี่ยวนำความถี่กลาง - ตัวเก็บประจุ IGBT Snubber คุณภาพสูงสำหรับการใช้งานกำลังสูง – CRE ผลิตภัณฑ์ของเราจัดจำหน่ายไปทั่วโลก เช่น มอริเตเนีย บาร์เซโลนา โรมาเนีย เราใช้เครื่องมือและเทคโนโลยีการผลิตที่ทันสมัย รวมถึงอุปกรณ์และวิธีการทดสอบที่สมบูรณ์แบบ เพื่อรับประกันคุณภาพของผลิตภัณฑ์ ด้วยบุคลากรที่มีความสามารถสูง การจัดการเชิงวิทยาศาสตร์ ทีมงานที่ยอดเยี่ยม และบริการที่เอาใจใส่ ผลิตภัณฑ์ของเราจึงเป็นที่ชื่นชอบของลูกค้าทั้งในและต่างประเทศ ด้วยการสนับสนุนของคุณ เราจะสร้างอนาคตที่ดีกว่า!

ตัวเก็บประจุแบบกำหนดเองสำหรับอินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์

โรงงานผลิตตัวเก็บประจุแบบฟิล์มชนิดแห้ง

ตัวเก็บประจุฟิล์มอิเล็กทรอนิกส์

ตัวเก็บประจุฟิล์มสำหรับ Ess

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์มสำหรับอุปกรณ์ทางการแพทย์

ตัวเก็บประจุฟิล์มพลาสติกเคลือบโลหะ

ตัวเก็บประจุแบบติดตั้งบนแผงวงจรพิมพ์ (PCB Mounted Capacitor)

ตัวเก็บประจุตัวแปลงพลังงาน

ตัวเก็บประจุสนับเบอร์แรงดันสูง

ตัวเก็บประจุดูดซับไฟกระชาก

ผู้จัดการผลิตภัณฑ์เป็นคนที่กระตือรือร้นและมีความเป็นมืออาชีพมาก เราสนทนากันอย่างสนุกสนาน และในที่สุดเราก็บรรลุข้อตกลงร่วมกันได้

โดย แซนดรา จากคองโก - 9 ตุลาคม 2561 เวลา 19:07 น.

ผู้ผลิตรายนี้สามารถปรับปรุงและพัฒนาผลิตภัณฑ์และบริการได้อย่างต่อเนื่อง ซึ่งสอดคล้องกับกฎเกณฑ์ของการแข่งขันในตลาด และเป็นบริษัทที่มีความสามารถในการแข่งขัน

โดยเดเลีย จากเนเปิลส์ - 11 มกราคม 2017 เวลา 17:15