ราคาพิเศษสำหรับผู้จำหน่ายตัวเก็บประจุระดับโลก - ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์ชนิดฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำ สำหรับการใช้งานกับ IGBT – CRE

ราคาพิเศษสำหรับผู้จำหน่ายตัวเก็บประจุระดับโลก - ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์ชนิดฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำ สำหรับการใช้งาน IGBT – ภาพประกอบจาก CRE

คำอธิบายโดยย่อ:

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ข้อเสนอแนะ (2)

ความพึงพอใจของผู้ซื้อคือสิ่งที่เราให้ความสำคัญเป็นอันดับแรก เรายึดมั่นในความเป็นมืออาชีพ คุณภาพสูง ความน่าเชื่อถือ และการบริการอย่างสม่ำเสมอตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ออกแบบมาสำหรับอินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์ , ตัวเก็บประจุฟิล์มที่มีค่า ESR ต่ำ , ตัวเก็บประจุแบบขั้วต่อสี่ขายินดีต้อนรับลูกค้าทั่วโลกที่ต้องการติดต่อเราเพื่อสร้างความร่วมมือระยะยาว เราจะเป็นพันธมิตรและผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนและอุปกรณ์เสริมรถยนต์ที่น่าเชื่อถือของคุณในประเทศจีน

ราคาพิเศษสำหรับผู้จำหน่ายตัวเก็บประจุระดับโลก - ตัวเก็บประจุแบบสนับเบอร์ฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำ สำหรับการใช้งาน IGBT – รายละเอียดจาก CRE:

ซีรี่ส์ SMJ-P

ช่วงแรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 1000 VDC ถึง 2000 VDC
ช่วงค่าความจุ: 0.1 ไมโครฟารัด ถึง 3.0 ไมโครฟารัด
ระยะห่างระหว่างรูยึด: 22.5 มม. ถึง 48 มม.
โครงสร้าง: ฉนวนโพลีโพรพีลีนเคลือบโลหะ การเชื่อมต่อแบบอนุกรมภายใน
การใช้งาน: การป้องกัน IGBT, วงจรถังเรโซแนนซ์

ตัวเก็บประจุแบบแห้งชนิดซ่อมแซมตัวเองได้ (Snubber capacitor) ผลิตขึ้นโดยใช้ฟิล์ม PP เคลือบโลหะที่มีรูปทรงพิเศษและตัดเป็นคลื่น ซึ่งช่วยให้มีค่าความเหนี่ยวนำต่ำ ความต้านทานต่อการแตกหักสูง และความน่าเชื่อถือสูง ไม่จำเป็นต้องตัดการเชื่อมต่อเมื่อแรงดันเกิน ด้านบนของตัวเก็บประจุปิดผนึกด้วยอีพ็อกซี่ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมและไม่ติดไฟ การออกแบบพิเศษนี้ช่วยให้มีค่าความเหนี่ยวนำต่ำมาก

IMG_0397.HEIC

ตารางข้อมูลจำเพาะ

แรงดันไฟฟ้า	แรงดันไฟฟ้า 700V.DC, แรงดันไฟฟ้า 400VAC; แรงดันไฟฟ้า 1050V
	ขนาด (มม.)
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	อิปเค(เอ)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

แรงดันไฟฟ้า	Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ขนาด (มม.)
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	พ.ศ. 2517	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

แรงดันไฟฟ้า	Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	พ.ศ. 2517	32

แรงดันไฟฟ้า	แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง 1700V, แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 575V; แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ 2250V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

แรงดันไฟฟ้า	Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us 3000V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

แรงดันไฟฟ้า	Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
Cn(μF)	ล(±1)	ที(±1)	H(±1)	ESR (มิลลิโอห์ม)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	อิปเค(เอ)	เออร์มส์
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ภาพรายละเอียดสินค้า:

คู่มือผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง:

บริษัทฯ ยึดมั่นในแนวคิดการดำเนินงาน "การจัดการเชิงวิทยาศาสตร์ คุณภาพและประสิทธิภาพเป็นสิ่งสำคัญที่สุด ลูกค้าคือสิ่งสำคัญที่สุด" สำหรับราคาพิเศษจากผู้จำหน่ายตัวเก็บประจุทั่วโลก - ตัวเก็บประจุแบบ Snubber ฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่มีการสูญเสียต่ำสำหรับใช้งานกับ IGBT – CRE ผลิตภัณฑ์นี้จัดจำหน่ายไปทั่วโลก เช่น ไนเจอร์ สหรัฐอาหรับเอมิเรตส์ โพรวองซ์ ด้วยประสบการณ์การบริการและการพัฒนาที่ดีมายาวนาน เรามีทีมงานขายระหว่างประเทศมืออาชีพ ผลิตภัณฑ์ของเราส่งออกไปยังอเมริกาเหนือ ยุโรป ญี่ปุ่น เกาหลี ออสเตรเลีย นิวซีแลนด์ รัสเซีย และประเทศอื่นๆ เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสร้างความร่วมมือที่ดีและยั่งยืนกับท่านในอนาคต!

ตัวเก็บประจุ DC สำหรับอุปกรณ์ทางการแพทย์

ตัวเก็บประจุไฟฟ้ากระแสตรง

ตัวเก็บประจุ Ess